řada: IGLT65 MOSFET IGLT65R055D2ATMA1 N-kanálový 31 A 650 V Infineon, PG-HDSOP-16, počet kolíků: 16 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 351-886
- Výrobní číslo:
- IGLT65R055D2ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
159,56 Kč
(bez DPH)
193,07 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 01. dubna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 159,56 Kč |
| 10 - 99 | 143,51 Kč |
| 100 - 499 | 131,90 Kč |
| 500 - 999 | 122,76 Kč |
| 1000 + | 109,92 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 351-886
- Výrobní číslo:
- IGLT65R055D2ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 31A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | PG-HDSOP-16 | |
| Řada | IGLT65 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 16 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.066Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 4.7nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 102W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 10V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | JEDEC for Industrial Applications | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 31A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení PG-HDSOP-16 | ||
Řada IGLT65 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 16 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.066Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 4.7nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 102W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 10V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení JEDEC for Industrial Applications | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MY
MOSFET Infineon řady IGLT65, zdrojové napětí vypouštění 650 V, nepřetržitý vypouštěcí proud 31 A – IGLT65R055D2ATMA1
Tento MOSFET je vysokonapěťový N-kanálový spínací tranzistor navržený pro průmyslové aplikace, kde je vyžadován robustní tepelný rozsah a montáž na povrch. Pracuje jako zařízení s režimem zesílení a je dodáván v kompaktním povrchovém pouzdru PG-HDSOP-16 vhodném pro automatizovanou montáž PCB. Díky splnění norem JEDEC je vhodný pro náročná průmyslová prostředí, která vyžadují rozšířenou teplotní toleranci.
Charakteristiky a výhody:
• Jmenovité napětí 650 V podporuje vysokonapěťové spínací systémy
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 31 A umožňuje zvládnutí značné zátěže
• Rds(on) 0.066 Ω snižuje ztráty při vedení ve stupních výkonu
• Rozptýlení výkonu 102 W umožňuje vyšší tepelný výkon
• Typické náboje hradla 4.7 nC zlepšuje účinnost spínání
• Limit hradlo-zdroj 10 V umožňuje standardní napětí pohonu hradla
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 31 A umožňuje zvládnutí značné zátěže
• Rds(on) 0.066 Ω snižuje ztráty při vedení ve stupních výkonu
• Rozptýlení výkonu 102 W umožňuje vyšší tepelný výkon
• Typické náboje hradla 4.7 nC zlepšuje účinnost spínání
• Limit hradlo-zdroj 10 V umožňuje standardní napětí pohonu hradla
Aplikace
• Vhodné pro vysokonapěťové výkonové měniče a měniče
• Používá se s průmyslovými spínacími moduly motorových pohonů
• Ideální pro spínané napájecí zdroje v továrních zařízeních
• Lze použít pro svorkové a tlumicí obvody v elektrických stojanech
• Používá se pro výměnu vysokonapěťových relé v ovládacích panelech
• Používá se s průmyslovými spínacími moduly motorových pohonů
• Ideální pro spínané napájecí zdroje v továrních zařízeních
• Lze použít pro svorkové a tlumicí obvody v elektrických stojanech
• Používá se pro výměnu vysokonapěťových relé v ovládacích panelech
Jaké extrémní teploty dokáže při provozu odolat?
Je specifikován pro provoz v širokém rozsahu od -55 °C do 150 °C, což umožňuje použití v náročných průmyslových tepelných podmínkách.
Jaký počet kolíků a typ montáže je třeba vzít v úvahu pro uspořádání PCB?
Zařízení používá 16kolíkové pouzdro ve formátu PG-HDSOP-16 pro povrchovou montáž, které je vhodné pro standardní procesy montáže SMT.
Jak ovlivňuje specifikace hradla výběr ovladače?
Maximální přípustné napětí hradla-zdroje je 10 V, takže ovladače hradla by měly zůstat v tomto napětí, aby se zabránilo přetížení.
Splňuje automobilové normy pro použití ve vozidlech?
Není certifikován podle automobilových norem a je určen pro průmyslové aplikace v souladu s JEDEC.
Související odkazy
- řada: IGLT65 MOSFET IGLT65R110D2ATMA1 N-kanálový 15 A 650 V Infineon počet kolíků: 16 kolíkový Vylepšení
- řada: IGLT65 MOSFET IGLT65R045D2ATMA1 N-kanálový 38 A 650 V Infineon počet kolíků: 16 kolíkový Vylepšení
- řada: IGLT65 MOSFET IGLT65R035D2ATMA1 N-kanálový 47 A 650 V Infineon počet kolíků: 16 kolíkový Vylepšení
- řada: IGLT65 MOSFET IGLT65R025D2AUMA1 N-kanálový 67 A 650 V Infineon počet kolíků: 16 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET IMLT65R015M2HXTMA1 N-kanálový 142 A 650 V Infineon počet kolíků: 16 kolíkový
- řada: CoolSiC MOSFET IMLT65R020M2HXTMA1 N-kanálový 107 A 650 V Infineon počet kolíků: 16 kolíkový
- řada: CoolSiC MOSFET IMLT65R050M2HXTMA1 N-kanálový 47 A 650 V Infineon počet kolíků: 16 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET IMLT65R060M2HXTMA1 N-kanálový 96 A 650 V Infineon počet kolíků: 16 kolíkový Vylepšení