řada: IGLT65 MOSFET IGLT65R035D2ATMA1 N-kanálový 47 A 650 V Infineon, PG-HDSOP-16, počet kolíků: 16 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 351-889
- Výrobní číslo:
- IGLT65R035D2ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
238,11 Kč
(bez DPH)
288,11 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 1 780 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 238,11 Kč |
| 10 - 99 | 214,40 Kč |
| 100 + | 197,60 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 351-889
- Výrobní číslo:
- IGLT65R035D2ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 47A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | PG-HDSOP-16 | |
| Řada | IGLT65 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 16 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.042Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 154W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 7.7nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 10V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | JEDEC for Industrial Applications | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 47A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení PG-HDSOP-16 | ||
Řada IGLT65 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 16 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.042Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 154W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 7.7nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 10V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení JEDEC for Industrial Applications | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MY
MOSFET Infineon řady IGLT65, zdrojové napětí vypouštění 650 V, nepřetržitý vypouštěcí proud 47 A – IGLT65R035D2ATMA1
Tento MOSFET je vysokonapěťové vylepšovací zařízení s N-kanálem určené pro průmyslové spínání a řízení napájení. Pracuje v širokém rozsahu okolního prostředí a je určen pro sestavy obvodů pro povrchovou montáž, kde je vyžadována robustní manipulace s odvodovým napětím ke zdroji a mírné nabíjení hradla. Pouzdro podporuje montáž na více kolíků a integraci do kompaktních napájecích modulů pro náročné elektronické systémy.
Charakteristiky a výhody:
• Jmenovitá hodnota drain-zdroj 650 V pro vysokonapěťové spínací aplikace
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 47 A umožňující manipulaci se zvýšeným proudem
• 0.042 Ω RDS(on) pro nižší ztráty při vedení
• Rozptýlení výkonu 154 W pro řízení tepelné zátěže
• Typický náboj hradla 7.7 nC pro efektivní ovládání hradla
• Pouzdro PG‐HDSOP‐16 pro povrchovou montáž pro kompaktní uspořádání PCB
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 47 A umožňující manipulaci se zvýšeným proudem
• 0.042 Ω RDS(on) pro nižší ztráty při vedení
• Rozptýlení výkonu 154 W pro řízení tepelné zátěže
• Typický náboj hradla 7.7 nC pro efektivní ovládání hradla
• Pouzdro PG‐HDSOP‐16 pro povrchovou montáž pro kompaktní uspořádání PCB
Aplikace
• Vhodné pro průmyslové vysokonapěťové měničové stupně
• Používá se s napájecími zdroji vyžadujícími spínací kapacitu 47 A
• Ideální pro přední konce motorových pohonů v průmyslových zařízeních
• Lze použít pro tlumicí a svorkové obvody ve vysokonapěťových systémech
• Vhodné pro kompaktní napájecí moduly vyžadující MOSFET pro povrchovou montáž
• Používá se s napájecími zdroji vyžadujícími spínací kapacitu 47 A
• Ideální pro přední konce motorových pohonů v průmyslových zařízeních
• Lze použít pro tlumicí a svorkové obvody ve vysokonapěťových systémech
• Vhodné pro kompaktní napájecí moduly vyžadující MOSFET pro povrchovou montáž
Jaké extrémní teploty může tolerovat při provozu?
Je specifikován pro provoz v rozsahu -55 °C až 150 °C, což umožňuje použití v náročných tepelných prostředích a průmyslových instalacích s prodlouženými teplotami.
Kolik kolíků obsahuje balení pro účely uspořádání desek plošných spojů?
Součást používá 16kolíkovou konfiguraci, která informuje o konstrukci a tepelném půdorysu prostřednictvím umístění pro efektivní šíření tepla.
Jaká omezení napětí budiče hradla je třeba dodržovat?
Maximální napětí mezi bránou a zdrojem je 10 V, takže obvody budiče brány musí odpovídajícím způsobem omezit amplitudu budiče.
Splňuje zařízení průmyslovou standardní testovatelnost pro průmyslové aplikace?
Je vyroben podle kritérií JEDEC pro průmyslové použití, což je v souladu se společnými očekáváním kvalifikace a spolehlivosti pro tento sektor.
Související odkazy
- řada: IGLT65 MOSFET IGLT65R110D2ATMA1 N-kanálový 15 A 650 V Infineon počet kolíků: 16 kolíkový Vylepšení
- řada: IGLT65 MOSFET IGLT65R055D2ATMA1 N-kanálový 31 A 650 V Infineon počet kolíků: 16 kolíkový Vylepšení
- řada: IGLT65 MOSFET IGLT65R045D2ATMA1 N-kanálový 38 A 650 V Infineon počet kolíků: 16 kolíkový Vylepšení
- řada: IGLT65 MOSFET IGLT65R025D2AUMA1 N-kanálový 67 A 650 V Infineon počet kolíků: 16 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET IMLT65R050M2HXTMA1 N-kanálový 47 A 650 V Infineon počet kolíků: 16 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET IMLT65R015M2HXTMA1 N-kanálový 142 A 650 V Infineon počet kolíků: 16 kolíkový
- řada: CoolSiC MOSFET IMLT65R020M2HXTMA1 N-kanálový 107 A 650 V Infineon počet kolíků: 16 kolíkový
- řada: CoolSiC MOSFET IMLT65R060M2HXTMA1 N-kanálový 96 A 650 V Infineon počet kolíků: 16 kolíkový Vylepšení