řada: ISC MOSFET ISC130N20NM6ATMA1 N-kanálový 88 A 200 V Infineon, PG-TSON-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 349-148
- Výrobní číslo:
- ISC130N20NM6ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 20 kusů a ušetřete 333,40 Kč
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
331,47 Kč
(bez DPH)
401,08 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 5 000 jednotka(y) budou odesílané od 19. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* | Úspora |
|---|---|---|---|
| 2 - 18 | 165,735 Kč | 331,47 Kč | - |
| 20 - 198 | 149,065 Kč | 298,13 Kč | 333,40 Kč |
| 200 + | 137,705 Kč | 275,41 Kč | 5 606,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 349-148
- Výrobní číslo:
- ISC130N20NM6ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 88A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 200V | |
| Typ balení | PG-TSON-8 | |
| Řada | ISC | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 13mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 242W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 39nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 88A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 200V | ||
Typ balení PG-TSON-8 | ||
Řada ISC | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 13mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 242W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 39nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MY
MOSFET Infineon řady ISC, napětí zdroje vypouštění 200 V, nepřetržitý vypouštěcí proud 88 A – ISC130N20NM6ATMA1
Tento MOSFET je vysokoproudový N-kanálový spínač navržený pro napájecí aplikace pro povrchovou montáž. Pracuje v širokém teplotním rozsahu, který je vhodný pro náročné prostředí, a je určen pro použití tam, kde je vyžadováno robustní zvládání napětí a efektivní vedení. Zařízení je dodáváno v kompaktním pouzdru PG-TSON-8 pro montáž na úroveň desky a splňuje průmyslové výrobní normy.
Charakteristiky a výhody:
• Maximální vypouštěcí napětí 200 V umožňuje vysokonapěťové spínání
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 88 A podporuje vysoké zatížení
• Nízká hodnota Rds(on) 13 mΩ snižuje ztráty při vedení
• Rozptýlení výkonu 242 W umožňuje zvládnout značné tepelné zatížení
• Typický náboj hradla 39 nC umožňuje řízenou spínací energii
• Tolerance hradla ±20 V chrání hradlo před přepětím
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 88 A podporuje vysoké zatížení
• Nízká hodnota Rds(on) 13 mΩ snižuje ztráty při vedení
• Rozptýlení výkonu 242 W umožňuje zvládnout značné tepelné zatížení
• Typický náboj hradla 39 nC umožňuje řízenou spínací energii
• Tolerance hradla ±20 V chrání hradlo před přepětím
Aplikace
• Vhodné pro vysokovýkonové měniče DC/DC v průmyslových systémech
• Ideální pro výkonové stupně pohonu motoru vyžadující vysoký proud
• Používá se se systémy řízení baterií v zařízeních pro ukládání energie
• Lze použít pro synchronní usměrňování v napájecích zdrojích
• Vhodné pro rychlespínací obvody měničů v napájecí elektronice
• Ideální pro výkonové stupně pohonu motoru vyžadující vysoký proud
• Používá se se systémy řízení baterií v zařízeních pro ukládání energie
• Lze použít pro synchronní usměrňování v napájecích zdrojích
• Vhodné pro rychlespínací obvody měničů v napájecí elektronice
Jaká metoda montáže je vyžadována pro montáž desky?
Je určen pro montáž na povrch pomocí půdorysu PG-TSON-8.
Jak se chová při extrémních teplotách?
Je specifikován pro provoz v rozsahu -55 °C až 175 °C a podporuje tepelnou rezervu v náročných podmínkách.
Jaké normy se řídí jeho materiálem a manipulací?
Výroba a manipulace splňují ustanovení JEDEC a J-STD-020 a omezení RoHS.
Jaká omezení pohonu hradla by měli konstruktéři dodržovat?
Hradlo musí být poháněno v rozsahu ±20 V, aby nedošlo k překročení limitů zdroje hradla.
Související odkazy
- řada: ISC Výkonový tranzistor ISC037N13NM6ATMA1 N-kanálový 172 A 135 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: IGLR65 MOSFET IGLR65R270D2XUMA1 N-kanálový 7.2 A 650 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IGLR65 MOSFET IGLR65R200D2XUMA1 N-kanálový 9.2 A 650 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IGLR65 MOSFET IGLR65R140D2XUMA1 N-kanálový 13 A 650 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET IQE046N08LM5ATMA1 N-kanálový 99 A 80 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET IQE022N06LM5CGSCATMA1 N-kanálový 99 A 80 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: ISC MOSFET ISC035N10NM5LF2ATMA1 N-kanálový 164 A 100 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: ISC MOSFET ISC110N12NM6ATMA1 N-kanálový 62 A 120 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení