řada: OptiMOS MOSFET IQDH35N03LM5CGATMA1 Typ N-kanálový 789 A 25 V Infineon, PG-TTFN-9, počet kolíků: 9 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 284-943
- Výrobní číslo:
- IQDH35N03LM5CGATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
148,45 Kč
(bez DPH)
179,624 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 03. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 74,225 Kč | 148,45 Kč |
| 20 - 198 | 66,815 Kč | 133,63 Kč |
| 200 - 998 | 61,625 Kč | 123,25 Kč |
| 1000 - 1998 | 57,055 Kč | 114,11 Kč |
| 2000 + | 51,255 Kč | 102,51 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 284-943
- Výrobní číslo:
- IQDH35N03LM5CGATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 789A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 25V | |
| Řada | OptiMOS | |
| Typ balení | PG-TTFN-9 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 9 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.29mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 278W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS Compliant | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 789A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 25V | ||
Řada OptiMOS | ||
Typ balení PG-TTFN-9 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 9 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.29mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 278W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS Compliant | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- AT
Výkonový tranzistor OptiMOS 5 společnosti Infineon je příkladem špičkové technologie v oblasti výkonu tranzistorů MOSFET, která je určena především pro spínací aplikace s vysokou účinností. Tento tranzistor pracuje při napětí 25 V a je přizpůsoben pro bezkonkurenční tepelné řízení a nízký odpor, což zajišťuje vynikající účinnost v náročných prostředích. Je vyroben z pokročilých materiálů a dodržuje nejvyšší průmyslové standardy, vyniká schopností zvládat vysoké proudové zatížení při zachování nízkých energetických ztrát. Jedinečná konstrukce podporuje robustní tepelnou odolnost, což usnadňuje účinný odvod tepla i v kompaktních rozměrech.
N-kanálová technologie pro rychlé přepínání
Nízký odpor snižuje energetické ztráty
Vynikající tepelná odolnost pro spolehlivost
Plně způsobilé pro průmyslovou odolnost
Lavinově testováno pro konzistentní výkon
Pokovování bez obsahu Pb podporuje udržitelnost
Bezhalogenová konstrukce splňuje bezpečnostní normy
Kompaktní design pro snadnou integraci
Související odkazy
- řada: OptiMOS MOSFET IQDH35N03LM5CGATMA1 Typ N-kanálový 789 A 25 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQDH29NE2LM5CGATMA1 Typ N-kanálový 789 A 25 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQE022N06LM5CGATMA1 Typ N-kanálový 151 A 60 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQD009N06NM5CGATMA1 Typ N-kanálový 445 A 60 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQD020N10NM5CGATMA1 Typ N-kanálový 273 A 100 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQD016N08NM5CGATMA1 Typ N-kanálový 323 A 80 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQDH88N06LM5CGATMA1 Typ N-kanálový 447 A 60 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQDH45N04LM6CGATMA1 Typ N-kanálový 637 A 40 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový