řada: OptiMOS MOSFET IQD009N06NM5CGATMA1 Typ N-kanálový 445 A 60 V Infineon, PG-TTFN-9, počet kolíků: 9 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 284-929
- Výrobní číslo:
- IQD009N06NM5CGATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
242,55 Kč
(bez DPH)
293,486 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 23. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 121,275 Kč | 242,55 Kč |
| 20 - 198 | 109,05 Kč | 218,10 Kč |
| 200 - 998 | 100,655 Kč | 201,31 Kč |
| 1000 - 1998 | 93,245 Kč | 186,49 Kč |
| 2000 + | 83,735 Kč | 167,47 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 284-929
- Výrobní číslo:
- IQD009N06NM5CGATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 445A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Řada | OptiMOS | |
| Typ balení | PG-TTFN-9 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 9 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.9mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 333W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 12nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 445A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Řada OptiMOS | ||
Typ balení PG-TTFN-9 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 9 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.9mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 333W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 12nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový tranzistor Infineon MOSFET OptiMOS 5 je navržen pro vysokou účinnost v různých aplikacích a zajišťuje stabilní provoz při maximálním napětí 60 V. Tento MOSFET s kanálem N má nízký zapínací odpor, který výrazně snižuje ztráty výkonu a zajišťuje, že vaše návrhy si zachovají optimální tepelné řízení i v náročných podmínkách. Díky pokročilým lavinovým vlastnostem a rozsáhlému testování spolehlivosti je toto zařízení určeno pro průmyslové aplikace vyžadující vynikající tepelnou odolnost a robustní výkon. Kompaktní balení PG TTFN 9 usnadňuje integraci do stávajících konstrukcí, takže je vhodnou volbou pro inženýry, kteří chtějí vylepšit své systémy.
Velmi nízký odpor zvyšuje účinnost
Zvýšená tepelná odolnost pro výkon
Optimalizováno pro kontinuální a pulzní proudy
Komplexní lavinové hodnocení odolnosti
Splňuje požadavky RoHS a neobsahuje halogeny
Plně kvalifikované podle standardů JEDEC
Výrazná úspora energie
Flexibilní teplotní rozsah pro různá prostředí
Související odkazy
- řada: OptiMOS MOSFET IQD009N06NM5CGATMA1 Typ N-kanálový 445 A 60 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQD005N04NM6CGATMA1 Typ N-kanálový 610 A 40 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQDH45N04LM6CGATMA1 Typ N-kanálový 637 A 40 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQD020N10NM5CGATMA1 Typ N-kanálový 273 A 100 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQD016N08NM5CGATMA1 Typ N-kanálový 323 A 80 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQDH29NE2LM5CGATMA1 Typ N-kanálový 789 A 25 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQDH35N03LM5CGATMA1 Typ N-kanálový 789 A 25 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQDH88N06LM5CGATMA1 Typ N-kanálový 447 A 60 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový