řada: OptiMOS MOSFET IQE022N06LM5CGATMA1 Typ N-kanálový 151 A 60 V Infineon, PG-TTFN-9, počet kolíků: 9 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 284-951
- Výrobní číslo:
- IQE022N06LM5CGATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
239,84 Kč
(bez DPH)
290,205 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 03. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 47,968 Kč | 239,84 Kč |
| 50 - 95 | 45,596 Kč | 227,98 Kč |
| 100 - 495 | 42,138 Kč | 210,69 Kč |
| 500 - 995 | 38,878 Kč | 194,39 Kč |
| 1000 + | 37,446 Kč | 187,23 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 284-951
- Výrobní číslo:
- IQE022N06LM5CGATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 151A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Řada | OptiMOS | |
| Typ balení | PG-TTFN-9 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 9 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 2.2mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 100W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS Compliant | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 151A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Řada OptiMOS | ||
Typ balení PG-TTFN-9 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 9 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 2.2mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 100W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS Compliant | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- AT
MOSFET od společnosti Infineon je vysoce výkonný výkonový tranzistor určený pro náročné aplikace řízení spotřeby. Představuje pokročilou technologii OptiMOS 5, optimalizovanou pro synchronní usměrňování ve spínaných zdrojích. Inovativní konstrukce zajišťuje velmi nízký odpor a nabízí vynikající tepelné vlastnosti, které zvyšují spolehlivost a účinnost. Tento výrobek s napětím 60 V je vhodný zejména pro průmyslové aplikace díky robustnímu lavinovému testování a souladu s normami RoHS. Díky své logické úrovni N kanálů zjednodušuje integraci do obvodu při zachování vynikajícího provozního výkonu.
Optimalizováno pro vysoce účinnou konverzi energie
Logická úroveň N kanálu pro snadné propojení
100% lavinové testování spolehlivosti
Splňuje požadavky RoHS pro bezpečnost životního prostředí
Bezhalogenové a podporující standardy udržitelnosti
Ověřeno JEDEC pro průmyslové aplikace
Vynikající tepelný management prodlužuje životnost
Vysoký trvalý odtokový proud pro náročné zátěže
Související odkazy
- řada: OptiMOS MOSFET IQE022N06LM5CGATMA1 Typ N-kanálový 151 A 60 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQD009N06NM5CGATMA1 Typ N-kanálový 445 A 60 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQD020N10NM5CGATMA1 Typ N-kanálový 273 A 100 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQDH29NE2LM5CGATMA1 Typ N-kanálový 789 A 25 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQD016N08NM5CGATMA1 Typ N-kanálový 323 A 80 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQDH88N06LM5CGATMA1 Typ N-kanálový 447 A 60 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQDH45N04LM6CGATMA1 Typ N-kanálový 637 A 40 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQD005N04NM6CGATMA1 Typ N-kanálový 610 A 40 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový