řada: OptiMOS MOSFET IQE022N06LM5CGATMA1 N-kanálový 151 A 60 V Infineon, PG-TTFN-9, počet kolíků: 9 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 284-951
- Výrobní číslo:
- IQE022N06LM5CGATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
417,92 Kč
(bez DPH)
505,685 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 28. září 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 83,584 Kč | 417,92 Kč |
| 50 - 95 | 79,436 Kč | 397,18 Kč |
| 100 - 495 | 73,458 Kč | 367,29 Kč |
| 500 - 995 | 67,776 Kč | 338,88 Kč |
| 1000 + | 65,306 Kč | 326,53 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 284-951
- Výrobní číslo:
- IQE022N06LM5CGATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 151A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | PG-TTFN-9 | |
| Řada | OptiMOS | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 9 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 2.2mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 100W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS Compliant | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 151A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení PG-TTFN-9 | ||
Řada OptiMOS | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 9 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 2.2mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 100W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS Compliant | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- AT
MOSFET od společnosti Infineon je vysoce výkonný výkonový tranzistor určený pro náročné aplikace řízení spotřeby. Představuje pokročilou technologii OptiMOS 5, optimalizovanou pro synchronní usměrňování ve spínaných zdrojích. Inovativní konstrukce zajišťuje velmi nízký odpor a nabízí vynikající tepelné vlastnosti, které zvyšují spolehlivost a účinnost. Tento výrobek s napětím 60 V je vhodný zejména pro průmyslové aplikace díky robustnímu lavinovému testování a souladu s normami RoHS. Díky své logické úrovni N kanálů zjednodušuje integraci do obvodu při zachování vynikajícího provozního výkonu.
Optimalizováno pro vysoce účinnou konverzi energie
Logická úroveň N kanálu pro snadné propojení
100% lavinové testování spolehlivosti
Splňuje požadavky RoHS pro bezpečnost životního prostředí
Bezhalogenové a podporující standardy udržitelnosti
Ověřeno JEDEC pro průmyslové aplikace
Vynikající tepelný management prodlužuje životnost
Vysoký trvalý odtokový proud pro náročné zátěže
Související odkazy
- řada: OptiMOS MOSFET IQE022N06LM5CGATMA1 Typ N-kanálový 151 A 60 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQD020N10NM5CGATMA1 N-kanálový 273 A 100 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET IQD016N08NM5CGATMA1 N-kanálový 323 A 80 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET IQDH45N04LM6CGATMA1 N-kanálový 637 A 40 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET IQD005N04NM6CGATMA1 N-kanálový 610 A 40 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET IQD009N06NM5CGATMA1 N-kanálový 445 A 60 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET IQDH35N03LM5CGATMA1 N-kanálový 789 A 25 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET IQDH88N06LM5CGATMA1 N-kanálový 447 A 60 V Infineon počet kolíků: 9 kolíkový Vylepšení
