řada: OptiMOS MOSFET IQE022N06LM5SCATMA1 Typ N-kanálový 151 A 60 V Infineon, PG-WHSON-8, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 284-755
- Výrobní číslo:
- IQE022N06LM5SCATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
263,55 Kč
(bez DPH)
318,90 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 95 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 52,71 Kč | 263,55 Kč |
| 50 - 95 | 50,092 Kč | 250,46 Kč |
| 100 - 495 | 46,338 Kč | 231,69 Kč |
| 500 - 995 | 42,682 Kč | 213,41 Kč |
| 1000 + | 41,10 Kč | 205,50 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 284-755
- Výrobní číslo:
- IQE022N06LM5SCATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 151A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Řada | OptiMOS | |
| Typ balení | PG-WHSON-8 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 2.2mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 26nC | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 100W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS, JEDEC, IEC61249-2-21 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 151A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Řada OptiMOS | ||
Typ balení PG-WHSON-8 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 2.2mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 26nC | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 100W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS, JEDEC, IEC61249-2-21 | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový tranzistor Infineon MOSFET OptiMOS 5 je vysoce účinný tranzistor MOSFET navržený tak, aby splňoval požadavky pokročilých aplikací pro řízení spotřeby. Tento výkonový tranzistor s kapacitou rozptylu energie, která mu umožňuje spolehlivě pracovat v intenzivních podmínkách, zajišťuje optimální účinnost a tepelné řízení. Jeho konstrukce neobsahuje Pb a je v souladu s RoHS, což podporuje jeho použitelnost v ekologicky citlivých aplikacích a zároveň neobsahuje halogeny, což zvyšuje jeho přizpůsobivost v různých odvětvích. Plně vyhovuje standardům JEDEC pro průmyslové aplikace a je důvěryhodnou součástí pro inženýry, kteří hledají spolehlivá a vysoce výkonná řešení.
Optimalizováno pro správu napájení
Podpora synchronního usměrnění v SMPS
N kanál s kompatibilitou logických úrovní
Velmi nízký tepelný odpor
Vynikající tepelná odolnost pro spolehlivost
100% lavinové testy pro zajištění provozu
Splňuje předpisy o životním prostředí
Komplexní validace pro průmyslové použití
Související odkazy
- řada: OptiMOS MOSFET IQE022N06LM5SCATMA1 Typ N-kanálový 151 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: IQD0 MOSFET IQD063N15NM5SCATMA1 Typ N-kanálový 151 A 150 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQE030N06NM5SCATMA1 Typ N-kanálový 132 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQE046N08LM5SCATMA1 Typ N-kanálový 99 A 80 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IQE050N08NM5SCATMA1 Typ N-kanálový 99 A 80 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: OptiMOS 5 MOSFET IQDH29NE2LM5SCATMA1 Typ N-kanálový 789 A 25 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: OptiMOS 6MOSFET IQDH45N04LM6SCATMA1 N-kanálový 611 A 40 V počet kolíků: 8
- řada: OptiMOS 5MOSFET IQD009N06NM5SCATMA1 N-kanálový 445 A 60 V počet kolíků: 8