řada: HP8K MOSFET HP8KE6TB1 N-kanálový 17 A 100 V, HSOP-8, počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2
- Skladové číslo RS:
- 264-871
- Výrobní číslo:
- HP8KE6TB1
- Výrobce:
- ROHM
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 50 kusů a ušetřete 5%
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 5 kusech)*
248,98 Kč
(bez DPH)
301,27 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 35 jednotka(y) budou odesílané od 06. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za pásku* | Úspora |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | 49,796 Kč | 248,98 Kč | - |
| 50 - 95 | 47,178 Kč | 235,89 Kč | 5% |
| 100 - 495 | 43,67 Kč | 218,35 Kč | 12% |
| 500 - 995 | 40,31 Kč | 201,55 Kč | 19% |
| 1000 + | 38,78 Kč | 193,90 Kč | 22% |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 264-871
- Výrobní číslo:
- HP8KE6TB1
- Výrobce:
- ROHM
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | ROHM | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 17A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | HSOP-8 | |
| Řada | HP8K | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 54mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 21W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 6.7nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka ROHM | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 17A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení HSOP-8 | ||
Řada HP8K | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 54mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 21W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 6.7nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový tranzistor MOSFET ROHM má duální N-kanálovou konfiguraci s jmenovitým napětím 100 V a proudovou kapacitou 17 A. Je navržen v pouzdře HSOP8 a nabízí nízký zapínací odpor.
Nízký odpor při zapnutí
Malé pouzdro pro povrchovou montáž (HSOP8)
Bezolovnaté pokovení a shoda s RoHS
Bez halogenů
Související odkazy
- řada: HP8K MOSFET HP8KE7TB1 N-kanálový 24 A 100 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Nch+Nch
- řada: HP8K MOSFET HP8ME5TB1 Typ N HSOP-8, počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- řada: RS1G120MN MOSFET RS1G120MNTB N-kanálový 34 A 40 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: RS6 MOSFET RS6N120BHTB1 N-kanálový 135 A 80 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: RS6 MOSFET RS6G120BHTB1 N-kanálový 210 A 40 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: RS6 MOSFET RS6G120BGTB1 N-kanálový 210 A 40 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: RS6 MOSFET RS6E120BGTB1 N-kanálový 270 A 30 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: RS6 MOSFET RS6L120BHTB1 N-kanálový 150 A 60 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení