řada: HP8KC5 MOSFET HP8KC5TB1 Duální N-kanálový 12 A 60 V ROHM, HSOP-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 331-684
- Výrobní číslo:
- HP8KC5TB1
- Výrobce:
- ROHM
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 10 kusech)*
156,85 Kč
(bez DPH)
189,79 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 100 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za pásku* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 15,685 Kč | 156,85 Kč |
| 100 - 240 | 14,919 Kč | 149,19 Kč |
| 250 - 490 | 13,807 Kč | 138,07 Kč |
| 500 - 990 | 12,696 Kč | 126,96 Kč |
| 1000 + | 12,251 Kč | 122,51 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 331-684
- Výrobní číslo:
- HP8KC5TB1
- Výrobce:
- ROHM
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | ROHM | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Duální N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 12A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | HSOP-8 | |
| Řada | HP8KC5 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 139mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 20W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 3.1nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | Pb-Free Plating, RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka ROHM | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Duální N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 12A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení HSOP-8 | ||
Řada HP8KC5 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 139mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 20W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 3.1nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení Pb-Free Plating, RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
ROHM Power MOSFET je tranzistor MOSFET s nízkým zapínacím odporem, který je ideální pro spínací a motorové pohony. Tento výkonový tranzistor MOSFET se dodává v malém pouzdře pro povrchovou montáž.
Pokovování bez obsahu Pb
V souladu s RoHS
Bez obsahu halogenů
100 % Rg a UIS testováno
Související odkazy
- řada: HP8KE5 MOSFET HP8KE5TB1 Duální N-kanálový 8.5 A 100 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HT8KE5H MOSFET HT8KE5HTB1 Duální N-kanálový 6.5 A 100 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HP8KB5 MOSFET HP8KB5TB1 Duální N-kanálový 16.5 A 40 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HP MOSFET HP8K24TB Typ N-kanálový 80 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- řada: HP8K MOSFET HP8ME5TB1 Typ N HSOP-8, počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- řada: HP8 MOSFET HP8MB5TB1 Typ P HSOP-8, počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- řada: HP8KF7H Jednoduché tranzistory MOSFET HP8KF7HTB1 Duální N-kanálový 150 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: RS1G120MN MOSFET RS1G120MNTB Typ N-kanálový 34 A 40 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení