řada: HP8KF7H Jednoduché tranzistory MOSFET HP8KF7HTB1 Duální N-kanálový 18.5 A 150 V ROHM, HSOP-8, počet kolíků: 8
- Skladové číslo RS:
- 687-364
- Výrobní číslo:
- HP8KF7HTB1
- Výrobce:
- ROHM
Přidejte dalších 20 kusů a ušetřete 11%
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 2 kusech)*
73,38 Kč
(bez DPH)
88,78 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
- Plus 94 jednotka(y) budou odesílané od 06. listopadu 2026
Ks | za jednotku | za pásku* | Úspora |
|---|---|---|---|
| 2 - 18 | 36,69 Kč | 73,38 Kč | - |
| 20 - 48 | 32,355 Kč | 64,71 Kč | 11% |
| 50 - 198 | 29,03 Kč | 58,06 Kč | 20% |
| 200 - 998 | 23,40 Kč | 46,80 Kč | 36% |
| 1000 + | 22,82 Kč | 45,64 Kč | 37% |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 687-364
- Výrobní číslo:
- HP8KF7HTB1
- Výrobce:
- ROHM
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | ROHM | |
| Typ kanálu | Duální N | |
| Typ produktu | Jednoduché tranzistory MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 18.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 150V | |
| Typ balení | HSOP-8 | |
| Řada | HP8KF7H | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 62mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 20nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 26W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Výška | 1.1mm | |
| Šířka | 6.1mm | |
| Délka | 6.1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka ROHM | ||
Typ kanálu Duální N | ||
Typ produktu Jednoduché tranzistory MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 18.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 150V | ||
Typ balení HSOP-8 | ||
Řada HP8KF7H | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 62mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 20nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 26W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Výška 1.1mm | ||
Šířka 6.1mm | ||
Délka 6.1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Související odkazy
- řada: HP8KC5 MOSFET HP8KC5TB1 Duální N-kanálový 12 A 60 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HP8KB5 MOSFET HP8KB5TB1 Duální N-kanálový 16.5 A 40 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HT8KE5H MOSFET HT8KE5HTB1 Duální N-kanálový 6.5 A 100 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HP8KE5 MOSFET HP8KE5TB1 Duální N-kanálový 8.5 A 100 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HP MOSFET HP8K24TB N-kanálový 80 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- řada: RSG120 Jednoduché tranzistory MOSFET RS6G120CHTB1 N-kanálový 300 A 40 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: RS6G122CH Jednoduché tranzistory MOSFET RS6G122CHTB1 N-kanálový 40 A -40 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: HP8K MOSFET HP8ME5TB1 Typ N HSOP-8, počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
