řada: HP8K MOSFET HP8KE7TB1 Typ N-kanálový 100 V, HSOP-8, počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Nch+Nch
- Skladové číslo RS:
- 264-873
- Výrobní číslo:
- HP8KE7TB1
- Výrobce:
- ROHM
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 5 kusech)*
198,34 Kč
(bez DPH)
239,99 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 100 jednotka(y) budou odesílané od 04. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za pásku* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 39,668 Kč | 198,34 Kč |
| 50 - 95 | 37,742 Kč | 188,71 Kč |
| 100 - 495 | 34,926 Kč | 174,63 Kč |
| 500 - 995 | 32,208 Kč | 161,04 Kč |
| 1000 + | 30,924 Kč | 154,62 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 264-873
- Výrobní číslo:
- HP8KE7TB1
- Výrobce:
- ROHM
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | ROHM | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | HSOP-8 | |
| Řada | HP8K | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 19.6mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 26W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 19.8nC | |
| Konfigurace tranzistoru | Nch+Nch | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka ROHM | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení HSOP-8 | ||
Řada HP8K | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 19.6mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 26W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 19.8nC | ||
Konfigurace tranzistoru Nch+Nch | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový tranzistor MOSFET ROHM má duální N-kanálovou konfiguraci s jmenovitým napětím 100 V a proudovou kapacitou 24 A. Je navržen v pouzdře HSOP8 a nabízí nízký zapínací odpor.
Nízký odpor při zapnutí
Malé pouzdro pro povrchovou montáž (HSOP8)
Bezolovnaté pokovení a shoda s RoHS
Bez halogenů
Související odkazy
- řada: HP8 MOSFET HP8KB6TB1 Typ N-kanálový 40 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Nch+Nch
- řada: HP8K MOSFET HP8KE6TB1 Typ N-kanálový 17 A 100 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2
- řada: HP8K MOSFET HP8ME5TB1 Typ N HSOP-8, počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- řada: RS1G120MN MOSFET RS1G120MNTB Typ N-kanálový 34 A 40 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: RS1 MOSFET RS1N110ATTB1 Typ P-kanálový 43 A 80 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: RS6 MOSFET RS6E120BGTB1 Typ N-kanálový 270 A 30 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: RS6 MOSFET RS6G120BHTB1 Typ N-kanálový 210 A 40 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HP8KE5 MOSFET HP8KE5TB1 Duální N-kanálový 8.5 A 100 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení