řada: HiperFET MOSFET IXFN24N100 N-kanálový 24 A 1 kV IXYS, SOT-227, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 jednotka)*

1 255,25 Kč

(bez DPH)

1 518,85 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později

Ks
za jednotku
1 - 41 255,25 Kč
5 - 191 103,60 Kč
20 - 491 030,48 Kč
50 - 991 004,30 Kč
100 +979,11 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
194-091
Výrobní číslo:
IXFN24N100
Výrobce:
IXYS
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

IXYS

Typ kanálu

N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

24A

Maximální napětí na zdroji Vds

1kV

Typ balení

SOT-227

Řada

HiperFET

Typ montáže

Panel

Počet kolíků

4

Maximální odpor zdroje Rds

390mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

568W

Typický náboj brány Qg @ Vgs

267nC

Přímé napětí Vf

1.5V

Maximální napětí zdroje brány Vgs

-20V, +20V

Maximální provozní teplota

150°C

Šířka

25.42mm

Délka

38.23mm

Normy/schválení

No

Výška

9.6mm

Automobilový standard

Ne

N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™


Tranzistory MOSFET, IXYS


Široká nabídka Advanced diskrétní tranzistorových MOSFET od společnosti IXYS

Související odkazy