řada: HiperFET MOSFET IXFN36N100 Typ N-kanálový 36 A 1 kV IXYS, SOT-227, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 jednotka)*

1 885,85 Kč

(bez DPH)

2 281,88 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • 27 jednotka(y) budou odesílané od 22. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
1 - 11 885,85 Kč
2 - 41 791,49 Kč
5 +1 697,38 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
193-795
Výrobní číslo:
IXFN36N100
Výrobce:
IXYS
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

IXYS

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

36A

Maximální napětí na zdroji Vds

1kV

Typ balení

SOT-227

Řada

HiperFET

Typ montáže

Panel

Počet kolíků

4

Maximální odpor zdroje Rds

240mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Přímé napětí Vf

1.3V

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

380nC

Maximální ztrátový výkon Pd

700W

Maximální provozní teplota

150°C

Výška

9.6mm

Normy/schválení

No

Délka

38.23mm

Automobilový standard

Ne

N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™


Tranzistory MOSFET, IXYS


Široká nabídka Advanced diskrétní tranzistorových MOSFET od společnosti IXYS

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.