řada: SuperMESH MOSFET STP6NK60ZFP N-kanálový 6 A 600 V STMicroelectronics, TO-220FP, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 151-415
- Výrobní číslo:
- STP6NK60ZFP
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*
1 985,90 Kč
(bez DPH)
2 402,95 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 1 700 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 39,718 Kč | 1 985,90 Kč |
| 250 - 450 | 37,055 Kč | 1 852,75 Kč |
| 500 + | 31,774 Kč | 1 588,70 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 151-415
- Výrobní číslo:
- STP6NK60ZFP
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 6A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | TO-220FP | |
| Řada | SuperMESH | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.2Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 33nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 30.6mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Šířka | 10.4mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 6A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení TO-220FP | ||
Řada SuperMESH | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.2Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 33nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 30.6mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Šířka 10.4mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Výkonový MOSFET společnosti STMicroelectronics vyvinutý pomocí technologie Super MESH, které bylo dosaženo optimalizací dobře zavedeného uspořádání Power MESH založeného na páskách. Kromě výrazného snížení odporu při zapnutí je toto zařízení navrženo tak, aby zajistilo vysokou úroveň schopnosti dv/dt pro nejnáročnější aplikace.
100% lavinově testováno
Minimalizace náboje na hradle
Velmi nízká vnitřní kapacita
Související odkazy
- řada: SuperMESH MOSFET N-kanálový 6 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SuperMESH MOSFET N-kanálový 2.5 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SuperMESH MOSFET STF3NK80Z N-kanálový 2.5 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SuperMESH Výkonový MOSFET N-kanálový 5.2 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh TO-220FP, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: MDmesh MOSFET STF13NM60N N-kanálový 11 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SuperMESH MOSFET STD3NK60ZT4 N-kanálový 2.4 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SuperMESH MOSFET STD4NK60ZT4 N-kanálový 4 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení