řada: SuperMESH MOSFET STD4NK60ZT4 N-kanálový 4 A 600 V STMicroelectronics, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 151-439
- Výrobní číslo:
- STD4NK60ZT4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (2500 jednotky/-ek, v kotouči po 2500 ks)*
38 532,50 Kč
(bez DPH)
46 625,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 2 500 jednotka(y) budou odesílané od 07. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | 15,413 Kč | 38 532,50 Kč |
| 5000 + | 15,182 Kč | 37 955,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 151-439
- Výrobní číslo:
- STD4NK60ZT4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 4A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | SuperMESH | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 2Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 18.8nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 2.39mm | |
| Délka | 10.34mm | |
| Šířka | 6.73mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 4A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada SuperMESH | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 2Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 18.8nC | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 2.39mm | ||
Délka 10.34mm | ||
Šířka 6.73mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Výkonový MOSFET společnosti STMicroelectronics vyvinutý pomocí technologie Super MESH, které bylo dosaženo optimalizací dobře zavedeného uspořádání Power MESH. Kromě výrazného snížení odporu při zapnutí je toto zařízení navrženo tak, aby zajistilo vysokou úroveň schopnosti dv/dt pro nejnáročnější aplikace.
100% lavinově testováno
Minimalizace náboje na hradle
Velmi nízká vnitřní kapacita
Zenerova ochrana
Související odkazy
- řada: SuperMESH MOSFET STD4NK60ZT4 N-kanálový 4 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SuperMESH MOSFET STD3NK60ZT4 N-kanálový 2.4 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SuperMESH MOSFET STD2HNK60Z N-kanálový 2 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SuperMESH MOSFET STD5NK50ZT4 N-kanálový 4.4 A 500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SuperMESH MOSFET STD4NK80ZT4 N-kanálový 3 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SuperMESH MOSFET STD5NK40ZT4 N-kanálový 3 A 400 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SuperMESH MOSFET STD1NK80ZT4 N-kanálový 1 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení