řada: SuperMESH MOSFET STD4NK60ZT4 Typ N-kanálový 4 A 600 V STMicroelectronics, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 151-440
- Výrobní číslo:
- STD4NK60ZT4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 páska po 20 kusech)*
634,30 Kč
(bez DPH)
767,50 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 2 740 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za pásku* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 31,715 Kč | 634,30 Kč |
| 200 - 480 | 30,097 Kč | 601,94 Kč |
| 500 - 980 | 27,924 Kč | 558,48 Kč |
| 1000 - 1980 | 25,701 Kč | 514,02 Kč |
| 2000 + | 24,725 Kč | 494,50 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 151-440
- Výrobní číslo:
- STD4NK60ZT4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 4A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Řada | SuperMESH | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 2Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 18.8nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Délka | 10.34mm | |
| Výška | 2.39mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 4A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Řada SuperMESH | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 2Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 18.8nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Délka 10.34mm | ||
Výška 2.39mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Výkonový MOSFET společnosti STMicroelectronics vyvinutý pomocí technologie Super MESH, které bylo dosaženo optimalizací dobře zavedeného uspořádání Power MESH. Kromě výrazného snížení odporu při zapnutí je toto zařízení navrženo tak, aby zajistilo vysokou úroveň schopnosti dv/dt pro nejnáročnější aplikace.
100% lavinově testováno
Minimalizace náboje na hradle
Velmi nízká vnitřní kapacita
Zenerova ochrana
Související odkazy
- řada: SuperMESH MOSFET STD4NK60ZT4 Typ N-kanálový 4 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: SuperMESH MOSFET STD2HNK60Z Typ N-kanálový 2 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: SuperMESH MOSFET STD3NK60ZT4 Typ N-kanálový 2.4 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: MDmesh TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: MDmesh TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SuperMESH Napájecí SuperMESH MOSFET STB4NK60ZT4 Typ N-kanálový 4 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků:
- řada: SuperMESH Napájecí SuperMESH MOSFET Typ N-kanálový 4 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: MDmesh DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si