řada: SuperMESH MOSFET STF3NK80Z N-kanálový 2.5 A 800 V STMicroelectronics, TO-220FP, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 151-431
- Výrobní číslo:
- STF3NK80Z
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*
1 733,95 Kč
(bez DPH)
2 098,10 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 1 350 jednotka(y) budou odesílané od 09. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 34,679 Kč | 1 733,95 Kč |
| 250 - 450 | 32,357 Kč | 1 617,85 Kč |
| 500 + | 27,743 Kč | 1 387,15 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 151-431
- Výrobní číslo:
- STF3NK80Z
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 2.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 800V | |
| Řada | SuperMESH | |
| Typ balení | TO-220FP | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 4.5Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 19nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 25W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 2.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 800V | ||
Řada SuperMESH | ||
Typ balení TO-220FP | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 4.5Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 19nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 25W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Výkonový MOSFET společnosti STMicroelectronics vyvinutý pomocí technologie Super MESH, které bylo dosaženo optimalizací dobře zavedeného uspořádání Power MESH. Kromě výrazného snížení odporu při zapnutí je toto zařízení navrženo tak, aby zajistilo vysokou úroveň schopnosti dv/dt pro nejnáročnější aplikace.
100% lavinově testováno
Minimalizace náboje na hradle
Velmi nízká vnitřní kapacita
Zenerova ochrana
Související odkazy
- řada: SuperMESH MOSFET N-kanálový 2.5 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SuperMESH Výkonový MOSFET N-kanálový 5.2 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SuperMESH MOSFET N-kanálový 6 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SuperMESH MOSFET STP6NK60ZFP N-kanálový 6 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SuperMESH Výkonový MOSFET STP7NK80ZFP N-kanálový 5.2 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3
- řada: MDmesh TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh IPAK, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SuperMESH MOSFET STD4NK80ZT4 N-kanálový 3 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení