IGBT GT50JR22 N-kanálový 50 A 600 V, TO-3P, počet kolíků: 3 1MHz Jednoduchý
- Skladové číslo RS:
- 796-5064P
- Výrobní číslo:
- GT50JR22
- Výrobce:
- Toshiba
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet 10 jednotky/-ek (dodává se v tubě)*
997,90 Kč
(bez DPH)
1 207,50 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 96 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 10 - 49 | 99,79 Kč |
| 50 - 124 | 97,57 Kč |
| 125 - 249 | 96,33 Kč |
| 250 + | 94,35 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 796-5064P
- Výrobní číslo:
- GT50JR22
- Výrobce:
- Toshiba
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Toshiba | |
| Maximální stejnosměrný proud kolektoru | 50 A | |
| Maximální napětí emitoru/kolektoru | 600 V | |
| Maximální napětí řídicí elektroda/emitor | ±25V | |
| Maximální ztrátový výkon | 230 W | |
| Typ balení | TO-3P | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Rychlost spínání | 1MHz | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Rozměry | 15.5 x 4.5 x 20mm | |
| Maximální pracovní teplota | +175 °C | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Toshiba | ||
Maximální stejnosměrný proud kolektoru 50 A | ||
Maximální napětí emitoru/kolektoru 600 V | ||
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor ±25V | ||
Maximální ztrátový výkon 230 W | ||
Typ balení TO-3P | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Rychlost spínání 1MHz | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Rozměry 15.5 x 4.5 x 20mm | ||
Maximální pracovní teplota +175 °C | ||
IGBT Discretes, Toshiba
IGBT Discretes & Modules, Toshiba
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.