Toshiba Diskrétní IGBT Typ N-kanálový 50 A 600 V, TO-3P, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz

Zobrazit vše v kategorii IGBT

Mezisoučet (1 tuba po 25 kusech)*

2 783,70 Kč

(bez DPH)

3 368,275 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Na objednávky v hodnotě nižší než 1 500,00 Kč (bez DPH) se vztahuje poplatek ve výši 180,00 Kč.
Dočasně vyprodáno
  • 75 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za tubu*
25 +111,348 Kč2 783,70 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
168-7768
Výrobní číslo:
GT50JR22
Výrobce:
Toshiba
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Toshiba

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

50A

Typ produktu

Diskrétní IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

600V

Maximální ztrátový výkon Pd

230W

Typ balení

TO-3P

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Spínací napětí

1MHz

Maximální napětí brány VGEO

±25 V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.2V

Maximální provozní teplota

175°C

Řada

6.5th generation

Normy/schválení

RoHS

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
JP

IGBT Discretes, Toshiba


IGBT Discretes & Modules, Toshiba


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy

Recently viewed