Toshiba Bipolární tranzistor s izolovaným hradlem GT30J121 N-kanálový 30 A 600 V, TO-3P, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 796-5058
- Výrobní číslo:
- GT30J121
- Výrobce:
- Toshiba
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 25 kusů a ušetřete 5%
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
111,15 Kč
(bez DPH)
134,49 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 42 jednotka(y) budou odesílané od 06. listopadu 2026
- Plus 20 jednotka(y) budou odesílané od 12. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | Úspora |
|---|---|---|
| 1 - 24 | 111,15 Kč | - |
| 25 - 49 | 105,47 Kč | 5% |
| 50 - 199 | 99,54 Kč | 10% |
| 200 - 399 | 88,92 Kč | 20% |
| 400 + | 82,99 Kč | 25% |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 796-5058
- Výrobní číslo:
- GT30J121
- Výrobce:
- Toshiba
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Toshiba | |
| Typ produktu | Bipolární tranzistor s izolovaným hradlem | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 30A | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 600V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 170W | |
| Typ balení | TO-3P | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Spínací napětí | 1MHz | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí brány VGEO | ±20 V | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 2.45V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Toshiba | ||
Typ produktu Bipolární tranzistor s izolovaným hradlem | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 30A | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 600V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 170W | ||
Typ balení TO-3P | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Spínací napětí 1MHz | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí brány VGEO ±20 V | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 2.45V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
IGBT Discretes, Toshiba
IGBT Discretes & Modules, Toshiba
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Související odkazy
- Toshiba Bipolární tranzistor s izolovaným hradlem N-kanálový 30 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Toshiba Tranzistor 2SC5200N(S1S) 15 A NPN 230 V počet kolíků: 3 kolíkový Jednoduchý
- Toshiba Tranzistor 2SA1943N(S1S) -15 A PnP -230 V počet kolíků: 3 kolíkový Jednoduchý
- Toshiba Bipolární tranzistor 2SA1941-O(Q) -10 A PnP -140 V počet kolíků: 3 kolíkový Jednoduchý
- Toshiba Bipolární tranzistor 200 mA NPN 50 V počet kolíků: 3 kolíkový Jednoduchý
- Toshiba Bipolární tranzistor TBC847B SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Jednoduchý
- Infineon Bipolární tranzistor RF 20 mA 20 V počet kolíků: 6 kolíkový Dva (galvanicky) izolované tranzistory v
- onsemi Bipolární tranzistor 100 mA NPN 45 V počet kolíků: 6 kolíkový Izolovaný