Toshiba Diskrétní IGBT GT50JR22 Typ N-kanálový 50 A 600 V, TO-3P, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

157,59 Kč

(bez DPH)

190,68 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 34 jednotka/jednotek připraveno k odeslání
  • Plus 241 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
  • Plus 96 jednotka(y) budou odesílané od 25. února 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 - 9157,59 Kč
10 - 4999,79 Kč
50 - 12497,57 Kč
125 - 24996,33 Kč
250 +94,35 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
796-5064
Výrobní číslo:
GT50JR22
Výrobce:
Toshiba
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Toshiba

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

50A

Typ produktu

Diskrétní IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

600V

Maximální ztrátový výkon Pd

230W

Typ balení

TO-3P

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Spínací napětí

1MHz

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.2V

Maximální napětí brány VGEO

±25 V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

RoHS

Řada

6.5th generation

Automobilový standard

Ne

IGBT Discretes, Toshiba


IGBT Discretes & Modules, Toshiba


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy