Toshiba IGBT GT50JR21 N-kanálový 50 A 600 V, TO-3P, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor, Průchozí otvor
- Skladové číslo RS:
- 168-7767
- Výrobní číslo:
- GT50JR21
- Výrobce:
- Toshiba
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 168-7767
- Výrobní číslo:
- GT50JR21
- Výrobce:
- Toshiba
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Toshiba | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý kolektorový proud (Ic) | 50 A | |
| Maximální napětí kolektoru (Vceo) | 600 V | |
| Typ balení | TO-3P | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor, Průchozí otvor | |
| Maximální saturační napětí kolektoru (Vce(SAT)) | 2 V | |
| Maximální napětí brány (VGEO) | 25 V | |
| Maximální provozní teplota | 175 °C | |
| Maximální ztrátový výkon (Pd) | 230 W | |
| Minimální provozní teplota | -55 °C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Toshiba | ||
Automobilový standard Ne | ||
Typ produktu IGBT | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý kolektorový proud (Ic) 50 A | ||
Maximální napětí kolektoru (Vceo) 600 V | ||
Typ balení TO-3P | ||
Počet kolíků 3 | ||
Typ montáže Průchozí otvor, Průchozí otvor | ||
Maximální saturační napětí kolektoru (Vce(SAT)) 2 V | ||
Maximální napětí brány (VGEO) 25 V | ||
Maximální provozní teplota 175 °C | ||
Maximální ztrátový výkon (Pd) 230 W | ||
Minimální provozní teplota -55 °C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
- Země původu (Country of Origin):
- JP
IGBT Discretes, Toshiba
IGBT Discretes & Modules, Toshiba
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Související odkazy
- Toshiba IGBT GT50JR21 N-kanálový 50 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor, Průchozí otvor
- Toshiba Diskrétní IGBT GT50JR22 N-kanálový 50 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- Toshiba IGBT GT15J341 N-kanálový 15 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Toshiba IGBT GT60J323(Q) N-kanálový 60 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Toshiba Bipolární tranzistor s izolovaným hradlem N-kanálový 30 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- STMicroelectronics IGBT N-kanálový 60 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Toshiba Diskrétní IGBT GT40QR21 TO-3P, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 2.5 MHz
- STMicroelectronics IGBT STGWT30H60DFB N-kanálový 60 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor