Toshiba IGBT GT15J341 N-kanálový 15 A 600 V, TO-220SIS, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Skladové číslo RS:
- 168-7763
- Výrobní číslo:
- GT15J341
- Výrobce:
- Toshiba
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 168-7763
- Výrobní číslo:
- GT15J341
- Výrobce:
- Toshiba
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Toshiba | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý kolektorový proud (Ic) | 15 A | |
| Maximální napětí kolektoru (Vceo) | 600 V | |
| Typ balení | TO-220SIS | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Maximální napětí brány (VGEO) | 25 V | |
| Maximální provozní teplota | 150 °C | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Toshiba | ||
Typ produktu IGBT | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý kolektorový proud (Ic) 15 A | ||
Maximální napětí kolektoru (Vceo) 600 V | ||
Typ balení TO-220SIS | ||
Počet kolíků 3 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Maximální napětí brány (VGEO) 25 V | ||
Maximální provozní teplota 150 °C | ||
- Země původu (Country of Origin):
- JP
IGBT Discretes, Toshiba
IGBT Discretes & Modules, Toshiba
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Související odkazy
- Toshiba Diskrétní IGBT N-kanálový 20 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 100 kHz
- Toshiba Diskrétní IGBT GT20J341 N-kanálový 20 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 100 kHz
- Toshiba IGBT GT60J323(Q) N-kanálový 60 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Toshiba IGBT GT50JR21 N-kanálový 50 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor, Průchozí otvor
- Toshiba Diskrétní IGBT GT50JR22 N-kanálový 50 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- řada: TKMOSFET TK20A60W TO-220SIS, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- STMicroelectronics IGBT N-kanálový 15 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT STGP6NC60HD N-kanálový 15 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz