STMicroelectronics IGBT STGWT30H60DFB N-kanálový 60 A 600 V, TO-3P, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Skladové číslo RS:
- 860-7325
- Výrobní číslo:
- STGWT30H60DFB
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 20 kusů a ušetřete 3%
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
157,09 Kč
(bez DPH)
190,08 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 12. března 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* | Úspora |
|---|---|---|---|
| 2 - 18 | 78,545 Kč | 157,09 Kč | - |
| 20 - 98 | 75,955 Kč | 151,91 Kč | 3% |
| 100 - 198 | 73,595 Kč | 147,19 Kč | 6% |
| 200 + | 63,78 Kč | 127,56 Kč | 18% |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 860-7325
- Výrobní číslo:
- STGWT30H60DFB
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 60A | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 600V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 260W | |
| Typ balení | TO-3P | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 2V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí brány VGEO | ±20 V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Řada | HB | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 60A | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 600V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 260W | ||
Typ balení TO-3P | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 2V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí brány VGEO ±20 V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Řada HB | ||
Automobilový standard Ne | ||
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Související odkazy
- STMicroelectronics IGBT N-kanálový 60 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- STMicroelectronics IGBT N-kanálový 60 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT N-kanálový 60 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 29 ns
- STMicroelectronics IGBT STGW30V60DF N-kanálový 60 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT STGW30NC60KD N-kanálový 60 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 29 ns
- STMicroelectronics IGBT STGW60V60DF N-kanálový 60 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics Trenchová brána TO-3PF, počet kolíků: 3
- STMicroelectronics Trenchová brána TO-3PF, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí