STMicroelectronics IGBT STGWT30H60DFB Typ N-kanálový 60 A 600 V, TO-3P, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor

Zobrazit vše v kategorii IGBT

Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*

112,63 Kč

(bez DPH)

136,282 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Omezený stav zásob
  • Plus 6 jednotka(y) budou odesílané od 25. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
2 +56,315 Kč112,63 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
860-7325
Výrobní číslo:
STGWT30H60DFB
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ produktu

IGBT

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

60A

Maximální napětí kolektoru Vceo

600V

Maximální ztrátový výkon Pd

260W

Typ balení

TO-3P

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2V

Maximální napětí brány VGEO

±20 V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

RoHS

Řada

HB

Automobilový standard

Ne

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy