Infineon Výkonové polovodiče IGW75N60TFKSA1 Typ N-kanálový 75 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

112,14 Kč

(bez DPH)

135,69 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 218 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 - 9112,14 Kč
10 - 2496,33 Kč
25 - 4989,91 Kč
50 - 9984,23 Kč
100 +77,31 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
754-5395
Výrobní číslo:
IGW75N60TFKSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

75A

Typ produktu

Výkonové polovodiče

Maximální napětí kolektoru Vceo

600V

Maximální ztrátový výkon Pd

428W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Maximální napětí brány VGEO

±20 V

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2V

Maximální provozní teplota

175°C

Řada

TrenchStop

Normy/schválení

JEDEC J-STD-020 and JESD-022, RoHS

Automobilový standard

Ne

Infineon TrenchStop IGBT tranzistory, 600 a 650


Řada IGBT tranzistorů od Infineon s napěťovým stupněním sběračů 600 a 650 V vybavených technologií TrenchStop™. Tato řada zahrnuje zařízení s integrovanou antiparalelní diodou pro vysokou rychlost obnovy.

• Rozsah napětí kolektoru-emitoru 600 až 650 V.

• Velmi nízký VCEsat

• Nízké ztráty při vypnutí

• Krátký proud zadních výklopných dveří

• Nízká EMI

• Maximální teplota spoje 175 °C.

IGBT Discretes & Modules Infineon


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy