onsemi IGBT FGH40N60SMD Typ N-kanálový 80 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

114,36 Kč

(bez DPH)

138,38 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 11 jednotka/jednotek připraveno k odeslání
  • Plus 137 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
  • Plus 135 jednotka(y) budou odesílané od 31. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 - 9114,36 Kč
10 +98,80 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
759-9279
Výrobní číslo:
FGH40N60SMD
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

80A

Typ produktu

IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

600V

Maximální ztrátový výkon Pd

349W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.5V

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Maximální provozní teplota

175°C

Výška

4.82mm

Řada

Field Stop

Šířka

20.82 mm

Délka

15.87mm

Normy/schválení

RoHS

Automobilový standard

Ne

Diskrétní IGBT, Fairchild Semiconductor


IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy