onsemi IGBT FGH40N60SMD N-kanálový 80 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Skladové číslo RS:
- 759-9279
- Výrobní číslo:
- FGH40N60SMD
- Výrobce:
- onsemi
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 10 kusů a ušetřete 163,00 Kč
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
118,81 Kč
(bez DPH)
143,76 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 1 jednotka/jednotek připraveno k odeslání
- Plus 183 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Plus 201 jednotka(y) budou odesílané od 13. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | Úspora |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 118,81 Kč | - |
| 10 + | 102,51 Kč | 163,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 759-9279
- Výrobní číslo:
- FGH40N60SMD
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 80A | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 600V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 349W | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální napětí brány VGEO | 20 V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 2.5V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 15.87mm | |
| Řada | Field Stop | |
| Výška | 4.82mm | |
| Šířka | 20.82mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 80A | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 600V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 349W | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální napětí brány VGEO 20 V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 2.5V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 15.87mm | ||
Řada Field Stop | ||
Výška 4.82mm | ||
Šířka 20.82mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Diskrétní IGBT, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Související odkazy
- onsemi IGBT N-kanálový 80 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- onsemi IGBT FGH40N60UFDTU N-kanálový 80 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- onsemi TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový
- Infineon IGBT N-kanálový 80 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- onsemi TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 25 ns
- Infineon IGBT IKW50N60TFKSA1 N-kanálový 80 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- IGBT IGW50N60TPXKSA1 N-kanálový 80 A 600 V počet kolíků: 3 30kHz 1 Jednoduchý
- STMicroelectronics IGBT N-kanálový 80 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz