Infineon IGBT IKW50N60TFKSA1 Typ N-kanálový 80 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor

Mezisoučet (1 jednotka)*

132,89 Kč

(bez DPH)

160,80 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Na objednávky v hodnotě nižší než 1 500,00 Kč (bez DPH) se vztahuje poplatek ve výši 180,00 Kč.
Skladem
  • Plus 15 jednotka(y) budou odesílané od 23. února 2026
  • Plus 17 jednotka(y) budou odesílané od 23. února 2026
  • Plus 364 jednotka(y) budou odesílané od 02. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 +132,89 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
754-5409
Výrobní číslo:
IKW50N60TFKSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

IGBT

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

80A

Maximální napětí kolektoru Vceo

600V

Maximální ztrátový výkon Pd

333W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2V

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Maximální provozní teplota

175°C

Řada

TrenchStop

Normy/schválení

Pb-Free, JEDEC1, RoHS

Automobilový standard

Ne

Infineon TrenchStop IGBT tranzistory, 600 a 650


Řada IGBT tranzistorů od Infineon s napěťovým stupněním sběračů 600 a 650 V vybavených technologií TrenchStop™. Tato řada zahrnuje zařízení s integrovanou antiparalelní diodou pro vysokou rychlost obnovy.

• Rozsah napětí kolektoru-emitoru 600 až 650 V.

• Velmi nízký VCEsat

• Nízké ztráty při vypnutí

• Krátký proud zadních výklopných dveří

• Nízká EMI

• Maximální teplota spoje 175 °C.

IGBT Discretes & Modules Infineon


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy