IGBT IKW75N60TFKSA1 80 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*

4 579,89 Kč

(bez DPH)

5 541,66 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • 240 jednotka(y) budou odesílané od 12. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za tubu*
30 - 30152,663 Kč4 579,89 Kč
60 - 120146,553 Kč4 396,59 Kč
150 +141,976 Kč4 259,28 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
911-4789
Výrobní číslo:
IKW75N60TFKSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

80 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

600 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

428 W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

3

Konfigurace tranzistoru

Jednoduchý

Rozměry

16.03 x 21.1 x 5.16mm

Minimální provozní teplota

-40 °C

Maximální pracovní teplota

+175 °C

Země původu (Country of Origin):
GB

IGBT Infineon, 80A maximální trvalý kolektorový proud, 600V maximální napětí na kolektorovém emitoru - IKW75N60TFKSA1


Tento IGBT je vysoce výkonná polovodičová součástka určená pro aplikace výkonové elektroniky. S maximálním trvalým kolektorovým proudem 80 A pracuje efektivně v prostředí s vysokým napětím, dimenzovaným na 600 V. Zařízení je zabaleno ve formátu TO-247, který je ideální pro průchozí montáž.

Charakteristiky a výhody


• Nízké saturační napětí kolektor-emitor zvyšuje účinnost
• Vysoká rychlost spínání snižuje energetické ztráty během provozu
• Kladný teplotní koeficient zajišťuje stabilní výkon
• Kompatibilní s širokým rozsahem teplot od -40 °C do +175 °C

Aplikace


• Vhodné pro použití ve frekvenčních měničích v průmyslovém prostředí
• Ideální pro systémy nepřerušovaného napájení
• Využití v řízení motorů pro automatizaci
• Účinné pro systémy obnovitelných zdrojů energie k zajištění účinnosti

Jaké důsledky má doba zkratové odolnosti pro mou aplikaci?


Doba zkratové odolnosti 5 μs umožňuje spolehlivou ochranu v aplikacích, kde může dojít k poruchovým stavům, a zajišťuje, že zařízení vydrží krátké nadproudové situace bez okamžitého selhání.

Jak ovlivňuje vysoká spínací rychlost účinnost systému?


Vysoká spínací rychlost 20 kHz minimalizuje energetické ztráty při přechodech, což výrazně zlepšuje celkovou účinnost a výkon systému, zejména v aplikacích s rychlou odezvou.

Jaká jsou hlediska tepelného managementu pro optimální výkon?


Hodnoty tepelného odporu udávají efektivní odvod tepla z přechodu do pouzdra

řízení teploty spoje ve stanovených mezích je zásadní pro zachování spolehlivého provozu a prodloužení životnosti součástek.


IGBT Discretes & Modules Infineon


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy