Infineon IGBT IGW30N60TPXKSA1 Typ N-kanálový 53 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 30 kHz

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*

84,72 Kč

(bez DPH)

102,52 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 212 jednotka(y) budou odesílané od 24. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
2 - 1842,36 Kč84,72 Kč
20 - 4838,285 Kč76,57 Kč
50 - 9835,57 Kč71,14 Kč
100 - 19833,10 Kč66,20 Kč
200 +31,00 Kč62,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
133-9873
Číslo zboží společnosti Distrelec:
304-36-984
Výrobní číslo:
IGW30N60TPXKSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

IGBT

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

53A

Maximální napětí kolektoru Vceo

600V

Maximální ztrátový výkon Pd

200W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Spínací napětí

30kHz

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

1.8V

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

No

Řada

TrenchStop

Jmenovitá energie

1.13mJ

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN

Infineon TrenchStop IGBT tranzistory, 600 a 650


Řada IGBT tranzistorů od Infineon s napěťovým stupněním sběračů 600 a 650 V vybavených technologií TrenchStop™. Tato řada zahrnuje zařízení s integrovanou antiparalelní diodou pro vysokou rychlost obnovy.

• Rozsah napětí kolektoru-emitoru 600 až 650 V.

• Velmi nízký VCEsat

• Nízké ztráty při vypnutí

• Krátký proud zadních výklopných dveří

• Nízká EMI

• Maximální teplota spoje 175 °C.

IGBT Discretes & Modules Infineon


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy