IGBT IKW75N60TFKSA1 N-kanálový 80 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 20kHz 1 Jednoduchý

Skladové číslo RS:: 754-5402
Výrobní číslo:: IKW75N60TFKSA1
Výrobce:: Infineon

IGBT IKW75N60TFKSA1 N-kanálový 80 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 20kHz 1 Jednoduchý

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

165,74 Kč

(bez DPH)

200,55 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč

Skladem

5 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Plus 8 jednotka(y) budou odesílané od 12. ledna 2026
Plus 240 jednotka(y) budou odesílané od 19. března 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku
1 - 4	165,74 Kč
5 - 9	158,82 Kč
10 - 14	153,88 Kč
15 - 19	149,19 Kč
20 +	146,47 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 754-5402
Výrobní číslo:: IKW75N60TFKSA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Maximální stejnosměrný proud kolektoru	80 A
	Maximální napětí emitoru/kolektoru	600 V
	Maximální napětí řídicí elektroda/emitor	±20V
	Počet tranzistorů	1
	Maximální ztrátový výkon	428 W
	Typ balení	TO-247
	Konfigurace	Jednoduché
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Typ kanálu	N
	Počet kolíků	3
	Rychlost spínání	20kHz
	Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
	Rozměry	16.03 x 21.1 x 5.16mm
	Maximální pracovní teplota	+175 °C
	Minimální provozní teplota	-40 °C
	Kapacitance hradla	4620pF

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Maximální stejnosměrný proud kolektoru 80 A
	Maximální napětí emitoru/kolektoru 600 V
	Maximální napětí řídicí elektroda/emitor ±20V
	Počet tranzistorů 1
	Maximální ztrátový výkon 428 W
	Typ balení TO-247
	Konfigurace Jednoduché
	Typ montáže Průchozí otvor
	Typ kanálu N
	Počet kolíků 3
	Rychlost spínání 20kHz
	Konfigurace tranzistoru Jednoduchý
	Rozměry 16.03 x 21.1 x 5.16mm
	Maximální pracovní teplota +175 °C
	Minimální provozní teplota -40 °C
	Kapacitance hradla 4620pF

IGBT Infineon, 80A maximální trvalý kolektorový proud, 600V maximální napětí na kolektorovém emitoru - IKW75N60TFKSA1

Tento IGBT je vysoce výkonná polovodičová součástka určená pro aplikace výkonové elektroniky. S maximálním trvalým kolektorovým proudem 80 A pracuje efektivně v prostředí s vysokým napětím, dimenzovaným na 600 V. Zařízení je zabaleno ve formátu TO-247, který je ideální pro průchozí montáž.

Charakteristiky a výhody

• Nízké saturační napětí kolektor-emitor zvyšuje účinnost
• Vysoká rychlost spínání snižuje energetické ztráty během provozu
• Kladný teplotní koeficient zajišťuje stabilní výkon
• Kompatibilní s širokým rozsahem teplot od -40 °C do +175 °C

Aplikace

• Vhodné pro použití ve frekvenčních měničích v průmyslovém prostředí
• Ideální pro systémy nepřerušovaného napájení
• Využití v řízení motorů pro automatizaci
• Účinné pro systémy obnovitelných zdrojů energie k zajištění účinnosti

Jaké důsledky má doba zkratové odolnosti pro mou aplikaci?

Doba zkratové odolnosti 5 μs umožňuje spolehlivou ochranu v aplikacích, kde může dojít k poruchovým stavům, a zajišťuje, že zařízení vydrží krátké nadproudové situace bez okamžitého selhání.

Jak ovlivňuje vysoká spínací rychlost účinnost systému?

Vysoká spínací rychlost 20 kHz minimalizuje energetické ztráty při přechodech, což výrazně zlepšuje celkovou účinnost a výkon systému, zejména v aplikacích s rychlou odezvou.

Jaká jsou hlediska tepelného managementu pro optimální výkon?

Hodnoty tepelného odporu udávají efektivní odvod tepla z přechodu do pouzdra

řízení teploty spoje ve stanovených mezích je zásadní pro zachování spolehlivého provozu a prodloužení životnosti součástek.

IGBT Discretes & Modules Infineon

Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.