IGBT IGW75N60H3FKSA1 N-kanálový 75 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý

Skladové číslo RS:: 110-7445
Výrobní číslo:: IGW75N60H3FKSA1
Výrobce:: Infineon

IGBT IGW75N60H3FKSA1 N-kanálový 75 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*

235,58 Kč

(bez DPH)

285,06 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč

Omezený stav zásob

1 180 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za balení*
2 - 8	117,79 Kč	235,58 Kč
10 - 18	102,505 Kč	205,01 Kč
20 - 48	95,59 Kč	191,18 Kč
50 - 98	89,54 Kč	179,08 Kč
100 +	83,61 Kč	167,22 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 110-7445
Výrobní číslo:: IGW75N60H3FKSA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Maximální stejnosměrný proud kolektoru	75 A
	Maximální napětí emitoru/kolektoru	600 V
	Maximální napětí řídicí elektroda/emitor	±20V
	Maximální ztrátový výkon	428 W
	Typ balení	TO-247
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Typ kanálu	N
	Počet kolíků	3
	Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
	Rozměry	16.13 x 5.21 x 21.1mm
	Jmenovitá energie	6.2mJ
	Kapacitance hradla	4620pF
	Maximální pracovní teplota	+175 °C
	Minimální provozní teplota	-40 °C

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Maximální stejnosměrný proud kolektoru 75 A
	Maximální napětí emitoru/kolektoru 600 V
	Maximální napětí řídicí elektroda/emitor ±20V
	Maximální ztrátový výkon 428 W
	Typ balení TO-247
	Typ montáže Průchozí otvor
	Typ kanálu N
	Počet kolíků 3
	Konfigurace tranzistoru Jednoduchý
	Rozměry 16.13 x 5.21 x 21.1mm
	Jmenovitá energie 6.2mJ
	Kapacitance hradla 4620pF
	Maximální pracovní teplota +175 °C
	Minimální provozní teplota -40 °C

Infineon TrenchStop IGBT tranzistory, 600 a 650

Řada IGBT tranzistorů od Infineon s napěťovým stupněním sběračů 600 a 650 V vybavených technologií TrenchStop™. Tato řada zahrnuje zařízení s integrovanou antiparalelní diodou pro vysokou rychlost obnovy.

• Rozsah napětí kolektoru-emitoru 600 až 650 V.
• Velmi nízký VCEsat
• Nízké ztráty při vypnutí
• Krátký proud zadních výklopných dveří
• Nízká EMI
• Maximální teplota spoje 175 °C.

IGBT Discretes & Modules Infineon

Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

IGBT IGW75N60H3FKSA1 N-kanálový 75 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč

Infineon TrenchStop IGBT tranzistory, 600 a 650

Související odkazy