Infineon IGBT IGW75N60H3FKSA1 Typ N-kanálový 75 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Skladové číslo RS:
- 110-7445
- Výrobní číslo:
- IGW75N60H3FKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
297,64 Kč
(bez DPH)
360,14 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Omezený stav zásob
- 1 180 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 148,82 Kč | 297,64 Kč |
| 10 - 18 | 129,55 Kč | 259,10 Kč |
| 20 - 48 | 120,535 Kč | 241,07 Kč |
| 50 - 98 | 113,125 Kč | 226,25 Kč |
| 100 + | 105,47 Kč | 210,94 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 110-7445
- Výrobní číslo:
- IGW75N60H3FKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 75A | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 600V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 428W | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální napětí brány VGEO | ±20 V | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 2.3V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 40.6mm | |
| Normy/schválení | JEDEC, RoHS | |
| Jmenovitá energie | 6.2mJ | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 75A | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 600V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 428W | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální napětí brány VGEO ±20 V | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 2.3V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 40.6mm | ||
Normy/schválení JEDEC, RoHS | ||
Jmenovitá energie 6.2mJ | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon TrenchStop IGBT tranzistory, 600 a 650
Řada IGBT tranzistorů od Infineon s napěťovým stupněním sběračů 600 a 650 V vybavených technologií TrenchStop™. Tato řada zahrnuje zařízení s integrovanou antiparalelní diodou pro vysokou rychlost obnovy.
• Rozsah napětí kolektoru-emitoru 600 až 650 V.
• Velmi nízký VCEsat
• Nízké ztráty při vypnutí
• Krátký proud zadních výklopných dveří
• Nízká EMI
• Maximální teplota spoje 175 °C.
IGBT Discretes & Modules Infineon
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Související odkazy
- Infineon IGBT Typ N-kanálový 75 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Infineon IGBT Typ N-kanálový 75 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 20 kHz
- Infineon IGBT IKW75N60TFKSA1 Typ N-kanálový 75 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 20 kHz
- IGBT HGTG40N60A4 N-kanálový 75 A 600 V počet kolíků: 3 Jednoduchý
- IGBT HGTG30N60A4 N-kanálový 75 A 600 V počet kolíků: 3 Jednoduchý
- Infineon IGBT Typ N-kanálový 75 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Infineon IGBT Typ N-kanálový 75 A 650 V počet kolíků: 4 kolíkový Průchozí otvor
- Infineon IGBT Typ N-kanálový 75 A 1200 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor