Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IKFW60N60DH3EXKSA1 N-kanálový 53 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3
- Skladové číslo RS:
- 215-6661
- Výrobní číslo:
- IKFW60N60DH3EXKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
479,67 Kč
(bez DPH)
580,40 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Poslední zásoby RS
- Plus 38 jednotka(y) budou odesílané od 21. září 2026
- Konečné odeslání 240 jednotky (jednotek) od 15. října 2026
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 239,835 Kč | 479,67 Kč |
| 10 - 18 | 215,63 Kč | 431,26 Kč |
| 20 - 48 | 203,90 Kč | 407,80 Kč |
| 50 - 98 | 189,45 Kč | 378,90 Kč |
| 100 + | 175,125 Kč | 350,25 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 215-6661
- Výrobní číslo:
- IKFW60N60DH3EXKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 53A | |
| Typ produktu | Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 600V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 141W | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 2.2V | |
| Maximální napětí brány VGEO | ±30 V | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Řada | TRENCHSTOPTM Advanced Isolation | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 53A | ||
Typ produktu Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 600V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 141W | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 2.2V | ||
Maximální napětí brány VGEO ±30 V | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Řada TRENCHSTOPTM Advanced Isolation | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon izolovaný-gate bipolární tranzistor nabitý Rapid 1 rychlé a měkké antiparalelní diody v plně izolované balení.
Vysoká účinnost
Nízké ztráty spínání
Vyšší spolehlivost
Nízká elektromagnetická interference
Související odkazy
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT Typ N-kanálový 53 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT 20 A 1200 V počet kolíků: 3 kolíkový
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT 75 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IHW20N120R5XKSA1 20 A 1200 V počet kolíků: 3 kolíkový
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IKW75N65RH5XKSA1 75 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový
- Infineon TO-247,
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IKY40N120CS6XKSA1 Typ N-kanálový 80 A 1200 V počet kolíků: 3
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IHW15N120E1XKSA1 Typ N-kanálový 30 A 1200 V počet kolíků: 3