Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IHW30N120R5XKSA1 Typ N-kanálový 60 A 1200 V, TO-247, počet kolíků: 3

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

403,10 Kč

(bez DPH)

487,75 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 25 jednotka(y) budou odesílané od 30. března 2026
  • Plus 1 675 jednotka(y) budou odesílané od 30. března 2026
  • Plus 110 jednotka(y) budou odesílané od 06. dubna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
5 - 2080,62 Kč403,10 Kč
25 - 4553,154 Kč265,77 Kč
50 - 12049,202 Kč246,01 Kč
125 - 24545,992 Kč229,96 Kč
250 +42,732 Kč213,66 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
226-6078
Výrobní číslo:
IHW30N120R5XKSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

60A

Typ produktu

Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

1200V

Maximální ztrátový výkon Pd

330W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

1.55V

Maximální napětí brány VGEO

25 V

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální provozní teplota

175°C

Řada

Resonant Switching

Délka

42mm

Výška

5.21mm

Normy/schválení

RoHS

Šířka

16.13 mm

Automobilový standard

Ne

Infineon IHW30N120R5 výkon plné monolitické tělo dioda s nízkým napětím dopředu určené pouze pro měkké komutace a má vysokou odolnost, teplota stabilní chování s nízkou VCEMSAT.

Velmi přesná struktura parametrů

Nízká hodnota EMI

Související odkazy