Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IHW30N120R5XKSA1 Typ N-kanálový 60 A 1200 V, TO-247, počet kolíků: 3

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

413,48 Kč

(bez DPH)

500,31 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 15 jednotka/jednotek připraveno k odeslání
  • Plus 1 660 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
  • Plus 20 jednotka(y) budou odesílané od 27. května 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za balení*
5 - 2082,696 Kč413,48 Kč
25 - 4554,588 Kč272,94 Kč
50 - 12050,438 Kč252,19 Kč
125 - 24547,226 Kč236,13 Kč
250 +43,818 Kč219,09 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
226-6078
Výrobní číslo:
IHW30N120R5XKSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

60A

Maximální napětí kolektoru Vceo

1200V

Maximální ztrátový výkon Pd

330W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální napětí brány VGEO

25 V

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

1.55V

Maximální provozní teplota

175°C

Výška

5.21mm

Délka

42mm

Normy/schválení

RoHS

Řada

Resonant Switching

Automobilový standard

Ne

Infineon IHW30N120R5 výkon plné monolitické tělo dioda s nízkým napětím dopředu určené pouze pro měkké komutace a má vysokou odolnost, teplota stabilní chování s nízkou VCEMSAT.

Velmi přesná struktura parametrů

Nízká hodnota EMI

Související odkazy