Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IHW30N120R5XKSA1 Typ N-kanálový 60 A 1200 V, TO-247, počet kolíků: 3

Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

523,39 Kč

(bez DPH)

633,30 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 5 jednotka(y) budou odesílané od 28. srpna 2026
  • Plus 1 645 jednotka(y) budou odesílané od 28. srpna 2026
  • Plus 260 jednotka(y) budou odesílané od 04. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za balení*
5 - 20104,678 Kč523,39 Kč
25 - 4569,11 Kč345,55 Kč
50 - 12063,824 Kč319,12 Kč
125 - 24559,774 Kč298,87 Kč
250 +55,476 Kč277,38 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
226-6078
Výrobní číslo:
IHW30N120R5XKSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

60A

Typ produktu

Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

1200V

Maximální ztrátový výkon Pd

330W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

1.55V

Maximální napětí brány VGEO

25 V

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

RoHS

Šířka

16.13mm

Výška

5.21mm

Řada

Resonant Switching

Délka

42mm

Automobilový standard

Ne

Infineon IHW30N120R5 výkon plné monolitické tělo dioda s nízkým napětím dopředu určené pouze pro měkké komutace a má vysokou odolnost, teplota stabilní chování s nízkou VCEMSAT.

Velmi přesná struktura parametrů

Nízká hodnota EMI

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.