Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IKW15N120BH6XKSA1 Typ N-kanálový 30 A 1200 V, TO-247, počet kolíků: 3
- Skladové číslo RS:
- 215-6668
- Výrobní číslo:
- IKW15N120BH6XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
152,89 Kč
(bez DPH)
184,996 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 236 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 76,445 Kč | 152,89 Kč |
| 20 - 48 | 65,825 Kč | 131,65 Kč |
| 50 - 98 | 61,75 Kč | 123,50 Kč |
| 100 - 198 | 57,55 Kč | 115,10 Kč |
| 200 + | 53,475 Kč | 106,95 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 215-6668
- Výrobní číslo:
- IKW15N120BH6XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 30A | |
| Typ produktu | Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 1200V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 200W | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální napětí brány VGEO | 20 V | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 2.3V | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 5.21mm | |
| Délka | 42mm | |
| Šířka | 16.13 mm | |
| Normy/schválení | JEDEC47/20/22 | |
| Řada | TrenchStop | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 30A | ||
Typ produktu Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 1200V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 200W | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální napětí brány VGEO 20 V | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 2.3V | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 5.21mm | ||
Délka 42mm | ||
Šířka 16.13 mm | ||
Normy/schválení JEDEC47/20/22 | ||
Řada TrenchStop | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon šestá generace izolovaného-gate bipolární tranzistor vysoké rychlosti měkké spínací série.
Vysoká účinnost
Nízké ztráty spínání
Vyšší spolehlivost
Nízká elektromagnetická interference
Související odkazy
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT Typ N-kanálový 30 A 1200 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT 20 A 1200 V počet kolíků: 3 kolíkový
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IHW20N120R5XKSA1 20 A 1200 V počet kolíků: 3 kolíkový
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IKQ75N120CS6XKSA1 Typ N-kanálový 150 A 1200 V počet kolíků: 3
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IKY40N120CS6XKSA1 Typ N-kanálový 80 A 1200 V počet kolíků: 3
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IHW30N120R5XKSA1 Typ N-kanálový 60 A 1200 V počet kolíků: 3
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IHW15N120E1XKSA1 Typ N-kanálový 30 A 1200 V počet kolíků: 3
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT Typ N-kanálový 150 A 1200 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí
