Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IHW30N120R5XKSA1 N-kanálový 60 A 1.2 kV, TO-247, počet kolíků: 3
- Skladové číslo RS:
- 226-6077
- Výrobní číslo:
- IHW30N120R5XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*
1 910,79 Kč
(bez DPH)
2 312,07 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 240 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 63,693 Kč | 1 910,79 Kč |
| 60 - 120 | 60,523 Kč | 1 815,69 Kč |
| 150 - 270 | 57,963 Kč | 1 738,89 Kč |
| 300 - 570 | 55,419 Kč | 1 662,57 Kč |
| 600 + | 51,59 Kč | 1 547,70 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 226-6077
- Výrobní číslo:
- IHW30N120R5XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 60A | |
| Typ produktu | Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 1.2kV | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 330W | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 1.55V | |
| Maximální napětí brány VGEO | 25 V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 42mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Výška | 5.21mm | |
| Řada | Resonant Switching | |
| Šířka | 16.13mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 60A | ||
Typ produktu Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 1.2kV | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 330W | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 1.55V | ||
Maximální napětí brány VGEO 25 V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 42mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Výška 5.21mm | ||
Řada Resonant Switching | ||
Šířka 16.13mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Jednoduchý tranzistorový integrovaný obvod IGBT řady Infineon Resonant Switching, max. napětí emitujícího kolektoru 1200 V, max. nepřetržitý proud kolektoru 60 A – IHW30N120R5XKSA1
Tento integrovaný obvod s jedním tranzistorem IGBT je tříkolíkový výkonový tranzistor s průchozím otvorem navržený pro vysokonapěťové spínání v topologii rezonančních měničů. Pracuje v rozšířeném teplotním rozsahu a je vhodný pro náročné průmyslové prostředí, kde je vyžadováno vysoké napětí kolektor-emitor a značný stejnosměrný proud.
Charakteristiky a výhody:
• Jmenovitá hodnota kolektor-emitor 1200 V umožňuje vysokonapěťové spínání
• Nepřetržitý kolektorový proud 60 A podporuje těžké vodivé zátěže
• VCE(sat) 1.55 V zajišťuje nízké ztráty při vedení v zapnutém stavu
• Maximální ztrátový výkon 330 W umožňuje manipulaci s vysokým výkonem
• Maximální emitor hradla 25 V chrání hradlo před přepětím
• Nepřetržitý kolektorový proud 60 A podporuje těžké vodivé zátěže
• VCE(sat) 1.55 V zajišťuje nízké ztráty při vedení v zapnutém stavu
• Maximální ztrátový výkon 330 W umožňuje manipulaci s vysokým výkonem
• Maximální emitor hradla 25 V chrání hradlo před přepětím
Aplikace
• Vhodné pro výkonové stupně rezonančních měničů v průmyslových systémech
• Ideální pro vysokonapěťové napájecí zdroje vyžadující zařízení 1200 V
• Používá se pro spínací moduly vyžadující nepřetržitou kapacitu 60 A
• Lze použít v prostředí s tepelným namáháním až do teploty 175 °C
• Vhodné pro sestavy s průchozím otvorem a servisní napájecí desky
• Ideální pro vysokonapěťové napájecí zdroje vyžadující zařízení 1200 V
• Používá se pro spínací moduly vyžadující nepřetržitou kapacitu 60 A
• Lze použít v prostředí s tepelným namáháním až do teploty 175 °C
• Vhodné pro sestavy s průchozím otvorem a servisní napájecí desky
Jaké limity ochrany brány je třeba dodržovat?
Udržujte výkyvy emitoru hradla v rozsahu ±25 V, abyste zabránili porušení hradla.
Jak tepelný rozsah ovlivňuje volbu instalace?
Zařízení funguje v rozsahu -40 °C až 175 °C, takže tepelný chladič a průtok vzduchu musí odpovídat horní teplotě, aby bylo možné udržet bezpečné teploty spoje.
Jaký způsob montáže je nutný pro spolehlivý provoz?
Montáž průchozím otvorem do PCB nebo montáž izolovaným chladičem zajišťuje mechanickou stabilitu a tepelnou vodivost.
Jaké pouzdro a počet kolíků zajišťuje pro uspořádání desky?
Dodává se v pouzdru TO‐247 se třemi kolíky pro standardní půdorysy napájecí desky.
Související odkazy
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IHW30N120R5XKSA1 N-kanálový 60 A 1200 V počet kolíků: 3
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IKQ75N120CS6XKSA1 N-kanálový 150 A 1200 V počet kolíků: 3
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IKY40N120CS6XKSA1 N-kanálový 80 A 1200 V počet kolíků: 3
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IHW20N120R5XKSA1 20 A 1200 V počet kolíků: 3 kolíkový
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IHW15N120E1XKSA1 N-kanálový 30 A 1200 V počet kolíků: 3
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IKW15N120BH6XKSA1 N-kanálový 30 A 1200 V počet kolíků: 3
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT N-kanálový 30 A 1200 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Infineon TO-247,