Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT N-kanálový 80 A 1200 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Skladové číslo RS:
- 226-6119
- Výrobní číslo:
- IKY40N120CS6XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*
3 281,16 Kč
(bez DPH)
3 970,20 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 08. února 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 109,372 Kč | 3 281,16 Kč |
| 60 - 120 | 103,905 Kč | 3 117,15 Kč |
| 150 + | 99,533 Kč | 2 985,99 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 226-6119
- Výrobní číslo:
- IKY40N120CS6XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 80A | |
| Typ produktu | Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 1200V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 5kW | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 2.15V | |
| Maximální napětí brány VGEO | 25 V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Délka | 41.2mm | |
| Šířka | 15.9mm | |
| Výška | 5.1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 80A | ||
Typ produktu Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 1200V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 5kW | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 2.15V | ||
Maximální napětí brány VGEO 25 V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Délka 41.2mm | ||
Šířka 15.9mm | ||
Výška 5.1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon 40 A IGBT s antiparalelní diodou je velmi měkká, rychlá obnova anti-paralelní dioda a má vysokou odolnost, teplota stabilní chování. Bylo použito nízké nabití hradla.
Nízká hodnota EMI
Nízké nabití hradla QG
Nízké saturační napětí, pokud 1.85 v v v kombinaci s nízkými ztrátami spínání
Související odkazy
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IKY40N120CS6XKSA1 Typ N-kanálový 80 A 1200 V počet kolíků: 3
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT 20 A 1200 V počet kolíků: 3 kolíkový
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IHW20N120R5XKSA1 20 A 1200 V počet kolíků: 3 kolíkový
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IHW15N120E1XKSA1 Typ N-kanálový 30 A 1200 V počet kolíků: 3
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IHW30N120R5XKSA1 Typ N-kanálový 60 A 1200 V počet kolíků: 3
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IKQ75N120CS6XKSA1 Typ N-kanálový 150 A 1200 V počet kolíků: 3
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IKW15N120BH6XKSA1 Typ N-kanálový 30 A 1200 V počet kolíků: 3
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT Typ N-kanálový 30 A 1200 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí