IGBT IGW30N60TPXKSA1 N-kanálový 53 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 30kHz 1 Jednoduchý

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tuba po 240 kusech)*

4 958,40 Kč

(bez DPH)

6 000,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Na objednávky v hodnotě nižší než 1 500,00 Kč (bez DPH) se vztahuje poplatek ve výši 180,00 Kč.
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 13. července 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za tubu*
240 - 24020,66 Kč4 958,40 Kč
480 - 48019,626 Kč4 710,24 Kč
720 +18,387 Kč4 412,88 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
133-8564
Výrobní číslo:
IGW30N60TPXKSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

53 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

600 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Počet tranzistorů

1

Maximální ztrátový výkon

200 W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

N

Počet kolíků

3

Rychlost spínání

30kHz

Konfigurace tranzistoru

Jednoduchý

Rozměry

16.13 x 5.21 x 21.1mm

Maximální pracovní teplota

+175 °C

Minimální provozní teplota

-40 °C

Jmenovitá energie

1.13mJ

Kapacitance hradla

1050pF

Země původu (Country of Origin):
CN

Infineon TrenchStop IGBT tranzistory, 600 a 650


Řada IGBT tranzistorů od Infineon s napěťovým stupněním sběračů 600 a 650 V vybavených technologií TrenchStop™. Tato řada zahrnuje zařízení s integrovanou antiparalelní diodou pro vysokou rychlost obnovy.

• Rozsah napětí kolektoru-emitoru 600 až 650 V.
• Velmi nízký VCEsat
• Nízké ztráty při vypnutí
• Krátký proud zadních výklopných dveří
• Nízká EMI
• Maximální teplota spoje 175 °C.


IGBT Discretes & Modules Infineon


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy