IGBT modul F3L150R07W2E3B11BOMA1 650 A 150 V, Modul

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tác po 15 kusech)*

32 867,745 Kč

(bez DPH)

39 769,965 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 15 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za kus*
15 - 902 191,183 Kč32 867,75 Kč
105 +2 008,587 Kč30 128,81 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
273-7364
Výrobní číslo:
F3L150R07W2E3B11BOMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

650 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

150 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

+/-20V

Maximální ztrátový výkon

335 W

Typ balení

Modul

Typ montáže

Montáž do panelu

Modul IGBT Infineon má 650 V VCES, 150 A nepřetržitý stejnosměrný kolektorový proud 3úrovňový fázový nožní modul IGBT s TRENCHSTOP IGBT3, 3 diody řízené emitentem, technologií NTC a kontaktního kontaktu Press FIT. Tento modul IGBT zvýšil schopnost blokovacího napětí na 650 V a je k dispozici se substrátem Al2O3 s nízkým tepelným odporem.

Nízký VCEsat
Kompaktní provedení
Robustní montáž
Nízkoinduktivní konstrukce
Nízké spínací ztráty

Související odkazy