IGBT modul F3L100R07W2E3B11BOMA1 117 A 650 V, Modul

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tác po 15 kusech)*

25 554,975 Kč

(bez DPH)

30 921,525 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 06. května 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za kus*
15 - 901 703,665 Kč25 554,98 Kč
105 +1 561,682 Kč23 425,23 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
273-7362
Výrobní číslo:
F3L100R07W2E3B11BOMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

117 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

650 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

+/-20V

Maximální ztrátový výkon

300 W

Typ balení

Modul

Typ montáže

Montáž do panelu

Modul IGBT Infineon má 650 V VCES, 100 A nepřetržitý stejnosměrný kolektorový proud 3úrovňový fázový nožní modul IGBT s TRENCHSTOP IGBT3, 3 diody řízené emitentem, technologií NTC a kontaktního kontaktu Press FIT. Tento modul IGBT zvýšil schopnost blokovacího napětí na 650 V a je k dispozici se substrátem Al2O3 s nízkým tepelným odporem.

Nízký VCEsat
Kompaktní provedení
Robustní montáž
Nízkoinduktivní konstrukce
Nízké spínací ztráty

Související odkazy