Infineon IGBT modul F3L100R07W2E3B11BOMA1 117 A 650 V, Modul Panel

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tác po 15 kusech)*

14 091,105 Kč

(bez DPH)

17 050,23 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 27. července 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za kus*
15 - 90939,407 Kč14 091,11 Kč
105 +861,125 Kč12 916,88 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
273-7362
Výrobní číslo:
F3L100R07W2E3B11BOMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

IGBT modul

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

117A

Maximální napětí kolektoru Vceo

650V

Maximální ztrátový výkon Pd

300W

Typ balení

Modul

Typ montáže

Panel

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

1.9V

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

UL (E83335)

Výška

16.4mm

Délka

62.8mm

Automobilový standard

Ne

Modul IGBT Infineon má 650 V VCES, 100 A nepřetržitý stejnosměrný kolektorový proud 3úrovňový fázový nožní modul IGBT s TRENCHSTOP IGBT3, 3 diody řízené emitentem, technologií NTC a kontaktního kontaktu Press FIT. Tento modul IGBT zvýšil schopnost blokovacího napětí na 650 V a je k dispozici se substrátem Al2O3 s nízkým tepelným odporem.

Nízký VCEsat

Kompaktní provedení

Robustní montáž

Nízkoinduktivní konstrukce

Nízké spínací ztráty

Související odkazy