IGBT modul F3L100R07W2E3B11BOMA1 117 A 650 V, Modul

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

2 095,32 Kč

(bez DPH)

2 535,34 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 14 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 - 42 095,32 Kč
5 - 92 053,56 Kč
10 - 991 905,36 Kč
100 - 2491 746,29 Kč
250 +1 612,17 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
273-7363
Výrobní číslo:
F3L100R07W2E3B11BOMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

117 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

650 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

+/-20V

Maximální ztrátový výkon

300 W

Typ balení

Modul

Typ montáže

Montáž do panelu

Modul IGBT Infineon má 650 V VCES, 100 A nepřetržitý stejnosměrný kolektorový proud 3úrovňový fázový nožní modul IGBT s TRENCHSTOP IGBT3, 3 diody řízené emitentem, technologií NTC a kontaktního kontaktu Press FIT. Tento modul IGBT zvýšil schopnost blokovacího napětí na 650 V a je k dispozici se substrátem Al2O3 s nízkým tepelným odporem.

Nízký VCEsat
Kompaktní provedení
Robustní montáž
Nízkoinduktivní konstrukce
Nízké spínací ztráty

Související odkazy