IGBT BIDNW30N60H3 30 A 600 V, TO-247N 1

Zobrazit vše v kategorii IGBT

Mezisoučet (1 tuba po 600 kusech)*

30 733,20 Kč

(bez DPH)

37 187,40 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 1 800 jednotka(y) budou odesílané od 05. ledna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za tubu*
600 +51,222 Kč30 733,20 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
253-3501
Výrobní číslo:
BIDNW30N60H3
Výrobce:
Bourns
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Bourns

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

30 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

600 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

230 W

Počet tranzistorů

1

Konfigurace

Jednoduchá dioda

Typ balení

TO-247N

Zařízení Bourns IGBT kombinuje technologii z MOS brány a bipolárního tranzistoru pro optimální součást pro vysokonapěťové a vysokoproudové aplikace. Toto zařízení využívá technologii Trench-Gate Field-Stop, která zajišťuje větší kontrolu dynamických charakteristik s nižším nasycovacím napětím kolektor-emitor (VCE(sat)) a menšími spínacími ztrátami.

600 V, 30 A, Nízké napětí nasycení kolektor-emitor (VCE(sat)) Technologie Trench-Gate Field-Stop s nízkou spínací ztrátou, rychlé spínání v souladu s RoHS

Související odkazy