Bourns IGBT 600 V, TO-252

Zobrazit vše v kategorii IGBT

Mezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*

36 382,50 Kč

(bez DPH)

44 022,50 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 08. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
2500 +14,553 Kč36 382,50 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
253-3499
Výrobní číslo:
BIDD05N60T
Výrobce:
Bourns
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Bourns

Typ produktu

IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

600V

Maximální ztrátový výkon Pd

82W

Typ balení

TO-252

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí brány VGEO

±30 V

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2V

Maximální provozní teplota

150°C

Řada

BIDD05N60T

Normy/schválení

RoHS Compliant

Automobilový standard

Ne

Zařízení Bourns IGBT kombinuje technologii z MOS brány a bipolárního tranzistoru pro optimální součást pro vysokonapěťové a vysokoproudové aplikace. Toto zařízení využívá technologii Trench-Gate Field-Stop, která zajišťuje větší kontrolu dynamických charakteristik s nižším nasycovacím napětím kolektor-emitor (VCE(sat)) a menšími spínacími ztrátami. Tato konstrukce navíc zlepšuje robustnost zařízení.

600 V, 5 A, technologie Trench-Gate Field-Stop s nízkou hodnotou VCE(sat) Optimalizovaná pro vodivost Robustní kompatibilita s RoHS

Související odkazy