Bourns IGBT BIDD05N60T 600 V, TO-252

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

170,73 Kč

(bez DPH)

206,585 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 2 430 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
5 +34,146 Kč170,73 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
253-3500
Výrobní číslo:
BIDD05N60T
Výrobce:
Bourns
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Bourns

Typ produktu

IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

600V

Maximální ztrátový výkon Pd

82W

Typ balení

TO-252

Maximální napětí brány VGEO

±30 V

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

RoHS Compliant

Řada

BIDD05N60T

Automobilový standard

Ne

Zařízení Bourns IGBT kombinuje technologii z MOS brány a bipolárního tranzistoru pro optimální součást pro vysokonapěťové a vysokoproudové aplikace. Toto zařízení využívá technologii Trench-Gate Field-Stop, která zajišťuje větší kontrolu dynamických charakteristik s nižším nasycovacím napětím kolektor-emitor (VCE(sat)) a menšími spínacími ztrátami. Tato konstrukce navíc zlepšuje robustnost zařízení.

600 V, 5 A, technologie Trench-Gate Field-Stop s nízkou hodnotou VCE(sat) Optimalizovaná pro vodivost Robustní kompatibilita s RoHS

Související odkazy