Bourns IGBT 100 A 650 V, TO-247

Skladové číslo RS:: 253-3508
Výrobní číslo:: BIDW50N65T
Výrobce:: Bourns

Mezisoučet (1 tuba po 600 kusech)*

118 416,60 Kč

(bez DPH)

143 284,20 Kč

(s DPH)

Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později

Ks	za jednotku	za tubu*
600 +	197,361 Kč	118 416,60 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 253-3508
Výrobní číslo:: BIDW50N65T
Výrobce:: Bourns

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Bourns
	Maximální trvalý kolektorový proud Ic	100A
	Typ produktu	IGBT
	Maximální napětí kolektoru Vceo	650V
	Typ balení	TO-247
	Maximální napětí brány VGEO	±20 V (Gate-Emitter Voltage VGE )
	Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT	1.65V
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální provozní teplota	150°C
	Normy/schválení	RoHS Compliant
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Bourns
	Maximální trvalý kolektorový proud Ic 100A
	Typ produktu IGBT
	Maximální napětí kolektoru Vceo 650V
	Typ balení TO-247
	Maximální napětí brány VGEO ±20 V (Gate-Emitter Voltage VGE )
	Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 1.65V
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální provozní teplota 150°C
	Normy/schválení RoHS Compliant
	Automobilový standard Ne

Datasheet - BIDW50N65T

Zařízení Bourns IGBT kombinuje technologii z MOS brány a bipolárního tranzistoru pro optimální součást pro vysokonapěťové a vysokoproudové aplikace. Toto zařízení využívá technologii Trench-Gate Field-Stop, která zajišťuje větší kontrolu dynamických charakteristik s nižším nasycovacím napětím kolektor-emitor (VCE(sat)) a menšími spínacími ztrátami. Tato konstrukce navíc zajišťuje nižší tepelný odpor R(th).

650 V, 50 A, Nízké napětí nasycení kolektor-emitor (VCE(sat)) Technologie Trench-Gate Field-Stop Optimalizovaná pro vedení v souladu s RoHS

Bourns IGBT 100 A 650 V, TO-247

Související odkazy