Bourns IGBT 100 A 650 V, TO-247
- Skladové číslo RS:
- 253-3508
- Výrobní číslo:
- BIDW50N65T
- Výrobce:
- Bourns
Mezisoučet (1 tuba po 600 kusech)*
118 416,60 Kč
(bez DPH)
143 284,20 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 600 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 600 + | 197,361 Kč | 118 416,60 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 253-3508
- Výrobní číslo:
- BIDW50N65T
- Výrobce:
- Bourns
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Bourns | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 100A | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 650V | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 1.65V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí brány VGEO | ±20 V (Gate-Emitter Voltage VGE ) | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS Compliant | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Bourns | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 100A | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 650V | ||
Typ balení TO-247 | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 1.65V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí brány VGEO ±20 V (Gate-Emitter Voltage VGE ) | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS Compliant | ||
Automobilový standard Ne | ||
Zařízení Bourns IGBT kombinuje technologii z MOS brány a bipolárního tranzistoru pro optimální součást pro vysokonapěťové a vysokoproudové aplikace. Toto zařízení využívá technologii Trench-Gate Field-Stop, která zajišťuje větší kontrolu dynamických charakteristik s nižším nasycovacím napětím kolektor-emitor (VCE(sat)) a menšími spínacími ztrátami. Tato konstrukce navíc zajišťuje nižší tepelný odpor R(th).
650 V, 50 A, Nízké napětí nasycení kolektor-emitor (VCE(sat)) Technologie Trench-Gate Field-Stop Optimalizovaná pro vedení v souladu s RoHS
Související odkazy
- Bourns IGBT BIDW50N65T 100 A 650 V, TO-247
- Infineon IGBT 161 A 650 V, TO-247
- Infineon IGBT IGZ100N65H5XKSA1 161 A 650 V, TO-247
- Bourns IGBT 40 A 600 V, TO-247
- Bourns IGBT 30 A 600 V, TO-247
- Bourns IGBT BIDNW30N60H3 30 A 600 V, TO-247
- Bourns IGBT BIDW20N60T 40 A 600 V, TO-247
- Starpower Diskrétní IGBT DG50X07T2 N-kanálový 100 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový