IGBT BIDW50N65T 50 A 650 V, TO-247 1

Zobrazit vše v kategorii IGBT

Mezisoučet (1 tuba po 600 kusech)*

38 184,00 Kč

(bez DPH)

46 200,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 600 jednotka(y) budou odesílané od 06. ledna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za tubu*
600 +63,64 Kč38 184,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
253-3508
Výrobní číslo:
BIDW50N65T
Výrobce:
Bourns
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Bourns

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

50 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

650 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

416 W

Počet tranzistorů

1

Typ balení

TO-247

Konfigurace

Jednoduchá dioda

Zařízení Bourns IGBT kombinuje technologii z MOS brány a bipolárního tranzistoru pro optimální součást pro vysokonapěťové a vysokoproudové aplikace. Toto zařízení využívá technologii Trench-Gate Field-Stop, která zajišťuje větší kontrolu dynamických charakteristik s nižším nasycovacím napětím kolektor-emitor (VCE(sat)) a menšími spínacími ztrátami. Tato konstrukce navíc zajišťuje nižší tepelný odpor R(th).

650 V, 50 A, Nízké napětí nasycení kolektor-emitor (VCE(sat)) Technologie Trench-Gate Field-Stop Optimalizovaná pro vedení v souladu s RoHS

Související odkazy