Bourns IGBT BIDW50N65T 100 A 650 V, TO-247

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*

281,09 Kč

(bez DPH)

340,118 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 1 098 jednotka(y) budou odesílané od 21. května 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za balení*
2 - 8140,545 Kč281,09 Kč
10 - 48126,095 Kč252,19 Kč
50 - 98119,18 Kč238,36 Kč
100 - 248103,865 Kč207,73 Kč
250 +102,75 Kč205,50 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
253-3509
Výrobní číslo:
BIDW50N65T
Výrobce:
Bourns
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Bourns

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

100A

Typ produktu

IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

650V

Typ balení

TO-247

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí brány VGEO

±20 V (Gate-Emitter Voltage VGE )

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

1.65V

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

RoHS Compliant

Automobilový standard

Ne

Zařízení Bourns IGBT kombinuje technologii z MOS brány a bipolárního tranzistoru pro optimální součást pro vysokonapěťové a vysokoproudové aplikace. Toto zařízení využívá technologii Trench-Gate Field-Stop, která zajišťuje větší kontrolu dynamických charakteristik s nižším nasycovacím napětím kolektor-emitor (VCE(sat)) a menšími spínacími ztrátami. Tato konstrukce navíc zajišťuje nižší tepelný odpor R(th).

650 V, 50 A, Nízké napětí nasycení kolektor-emitor (VCE(sat)) Technologie Trench-Gate Field-Stop Optimalizovaná pro vedení v souladu s RoHS

Související odkazy