IGBT BIDW50N65T 50 A 650 V, TO-247 1

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*

199,26 Kč

(bez DPH)

241,10 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 1 102 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
2 - 899,63 Kč199,26 Kč
10 - 4889,47 Kč178,94 Kč
50 - 9884,485 Kč168,97 Kč
100 - 24873,525 Kč147,05 Kč
250 +72,03 Kč144,06 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
253-3509
Výrobní číslo:
BIDW50N65T
Výrobce:
Bourns
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Bourns

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

50 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

650 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

416 W

Počet tranzistorů

1

Typ balení

TO-247

Konfigurace

Jednoduchá dioda

Zařízení Bourns IGBT kombinuje technologii z MOS brány a bipolárního tranzistoru pro optimální součást pro vysokonapěťové a vysokoproudové aplikace. Toto zařízení využívá technologii Trench-Gate Field-Stop, která zajišťuje větší kontrolu dynamických charakteristik s nižším nasycovacím napětím kolektor-emitor (VCE(sat)) a menšími spínacími ztrátami. Tato konstrukce navíc zajišťuje nižší tepelný odpor R(th).

650 V, 50 A, Nízké napětí nasycení kolektor-emitor (VCE(sat)) Technologie Trench-Gate Field-Stop Optimalizovaná pro vedení v souladu s RoHS

Související odkazy