STMicroelectronics IGBT STGB50H65FB2 86 A 650 V, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový 1
- Skladové číslo RS:
- 204-9870
- Výrobní číslo:
- STGB50H65FB2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 204-9870
- Výrobní číslo:
- STGB50H65FB2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální trvalý kolektorový proud (Ic) | 86 A | |
| Maximální napětí kolektoru (Vceo) | 650 V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Počet tranzistorů | 1 | |
| Maximální napětí brány (VGEO) | 20 V | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální trvalý kolektorový proud (Ic) 86 A | ||
Maximální napětí kolektoru (Vceo) 650 V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Počet kolíků 3 | ||
Počet tranzistorů 1 | ||
Maximální napětí brány (VGEO) 20 V | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the Advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy.
Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
Low VCE(sat) = 1.55 V(typ.) @ IC = 50 A
Minimized tail current
Tight parameter distribution
Low thermal resistance
Související odkazy
- STMicroelectronics IGBT STGB50H65FB2 86 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový 1
- STMicroelectronics IGBT N-kanálový 50 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Povrch 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT N-kanálový 86 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT STGB30H65DFB2 N-kanálový 50 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Povrch 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT STGWA50HP65FB2 N-kanálový 86 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT 80 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový
- Infineon IGBT IGB50N65H5ATMA1 N-kanálový 50 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Povrch 1
- STMicroelectronics IGBT STGWA80H65DFBAG 80 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový