STMicroelectronics IGBT STGB50H65FB2 86 A 650 V, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový 1
- Skladové číslo RS:
- 204-9870
- Výrobní číslo:
- STGB50H65FB2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 204-9870
- Výrobní číslo:
- STGB50H65FB2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 86A | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 650V | |
| Počet tranzistorů | 1 | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální napětí brány VGEO | 20 V | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 86A | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 650V | ||
Počet tranzistorů 1 | ||
Typ balení TO-263 | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální napětí brány VGEO 20 V | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Řada IGBT 650 V HB2 společnosti STMicroelectronics představuje vývoj pokročilé proprietární struktury pole-stop. Výkon řady HB2 je optimalizován z hlediska vodivosti díky lepšímu chování VCE(sat) při nízkých hodnotách proudu a také z hlediska snížení spínací energie.
Maximální teplota spojení: TJ = 175 °C
Nízký VCE(sat) = 1,55 V(typ.) při IC = 50 A
Minimalizovaný zadní proud
Těsné rozdělení parametrů
Nízký tepelný odpor