MPN

řada: STripFET IIMOSFET STP80NF55-08 N-kanálový 80 A 55 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	STMicroelectronics
	Typ kanálu	N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud	80 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj	55 V
	Řada	STripFET II
	Typ balení	TO-220
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor kolektor/zdroj	8 mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody	4V
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody	2V
	Maximální ztrátový výkon	300 W
	Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-20 V, +20 V
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	112 nC při 10 V
	Počet prvků na čip	1
	Šířka	4.6mm
	Maximální pracovní teplota	+175 °C
	Délka	10.4mm
	Materiál tranzistoru	Si
	Výška	15.75mm
	Minimální provozní teplota	-55 °C

	Vybrat vše
	Značka STMicroelectronics
	Typ kanálu N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud 80 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj 55 V
	Řada STripFET II
	Typ balení TO-220
	Typ montáže Průchozí otvor
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor kolektor/zdroj 8 mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody 4V
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody 2V
	Maximální ztrátový výkon 300 W
	Konfigurace tranzistoru Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -20 V, +20 V
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 112 nC při 10 V
	Počet prvků na čip 1
	Šířka 4.6mm
	Maximální pracovní teplota +175 °C
	Délka 10.4mm
	Materiál tranzistoru Si
	Výška 15.75mm
	Minimální provozní teplota -55 °C

Související odkazy

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.