MPN

řada: SuperFET IIMOSFET FCPF650N80Z N-kanálový 8 A 800 V, TO-220F, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	onsemi
	Typ kanálu	N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud	8 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj	800 V
	Řada	SuperFET II
	Typ balení	TO-220F
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor kolektor/zdroj	530 mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody	2.5V
	Maximální ztrátový výkon	30,5 W
	Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-30 V, +30 V
	Délka	10.36mm
	Maximální pracovní teplota	+150 °C
	Šířka	4.9mm
	Materiál tranzistoru	Si
	Počet prvků na čip	1
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	27 nC při 10 V
	Minimální provozní teplota	-55 °C
	Výška	16.07mm

	Vybrat vše
	Značka onsemi
	Typ kanálu N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud 8 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj 800 V
	Řada SuperFET II
	Typ balení TO-220F
	Typ montáže Průchozí otvor
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor kolektor/zdroj 530 mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody 2.5V
	Maximální ztrátový výkon 30,5 W
	Konfigurace tranzistoru Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -30 V, +30 V
	Délka 10.36mm
	Maximální pracovní teplota +150 °C
	Šířka 4.9mm
	Materiál tranzistoru Si
	Počet prvků na čip 1
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 27 nC při 10 V
	Minimální provozní teplota -55 °C
	Výška 16.07mm

Související odkazy

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.