řada: MDmesh, SuperMESH MOSFET N-kanálový 6.5 A 1 kV STMicroelectronics, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 920-6667
- Výrobní číslo:
- STF8NK100Z
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (50 jednotky/-ek, do tubusu po 50 ks)*
3 334,50 Kč
(bez DPH)
4 034,50 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 50 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 66,69 Kč | 3 334,50 Kč |
| 250 + | 64,823 Kč | 3 241,15 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 920-6667
- Výrobní číslo:
- STF8NK100Z
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 6.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 1kV | |
| Řada | MDmesh, SuperMESH | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.85Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -30V, +30V | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 40W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 102nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 4.6mm | |
| Výška | 16.4mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 10.4mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 6.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 1kV | ||
Řada MDmesh, SuperMESH | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.85Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -30V, +30V | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 40W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 102nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 4.6mm | ||
Výška 16.4mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 10.4mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Technologie N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700 V až 1200 V, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET, STMicroelectronics
Související odkazy
- MOSFET STF8NK100Z N-kanálový 6.5 A 1 kV STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET N-kanálový 6.5 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET STF9NM60N N-kanálový 6.5 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: MDmesh TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET N-kanálový 20 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení