MOSFET STF8NK100Z Typ N-kanálový 6.5 A 1 kV STMicroelectronics, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 761-2855
- Výrobní číslo:
- STF8NK100Z
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 jednotka)*
120,04 Kč
(bez DPH)
145,25 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 67 jednotka(y) budou odesílané od 12. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 120,04 Kč |
| 10 - 99 | 102,01 Kč |
| 100 - 499 | 81,76 Kč |
| 500 - 999 | 72,87 Kč |
| 1000 + | 61,01 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 761-2855
- Výrobní číslo:
- STF8NK100Z
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 6.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 1kV | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.85Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 102nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30 V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 40W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 10.4mm | |
| Šířka | 4.6 mm | |
| Výška | 16.4mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 6.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 1kV | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.85Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 102nC | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30 V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 40W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 10.4mm | ||
Šířka 4.6 mm | ||
Výška 16.4mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Technologie N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700 V až 1200 V, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET, STMicroelectronics
Související odkazy
- MOSFET Typ N-kanálový 6.5 A 1 kV STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET Typ N-kanálový 6.5 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 2.5 A 1 kV STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 3.5 A 1 kV STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET STF9NM60N Typ N-kanálový 6.5 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový
- MOSFET STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET STGP8NC60KD STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení